Микросхемы памяти
Найдено: 227 · показаны 151–200
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Упаковка | Тип монтажа | Диапазон рабочих температур | MSL(Уровень чувствительности к влажности) | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB85RS16PNF-G-JNERE1арт. 122279 | Микросхема MB85RS16PNF-G-JNERE1 | FUJITSU | — | — | — | — | — | под заказ | 117,23 ₽ | ||
| MT47H32M16NF-25E:Hарт. 122265 | Микросхема MT47H32M16NF-25E:H | Micron Technology | — | — | — | — | — | под заказ | 117,23 ₽ | ||
| MT47H64M16NF-25E:Mарт. 122264 | Микросхема MT47H64M16NF-25E:M | Micron Technology | — | — | — | — | — | под заказ | 117,23 ₽ | ||
| AT25SF161B-SSHD-Tарт. 122176 | AT25SF161B-SSHD-T, Флэш-память Renesas(Dialog Semiconductor), шина SPI, 16Мбит, 108 МГц, корпус SOIC-8 | Renesas | SOIC-8 | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 605 | 54,89 ₽ | ||
| AT45DB641E-SHN2B-Tарт. 122124 | AT45DB641E-SHN2B-T, Флэш-память Adesto Technologies, 64Mбит, корпус SOIC-8 | Adesto Technologies | SOIC-8 Wide | REEL, 2000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | под заказ | 405,59 ₽ | ||
| DS2431P+T&Rарт. 121766 | DS2431P+T&R, Энергонезависимое ППЗУ 1024-бит, однопроводное, корпус TSOC-6 | Analog Devices | TSOC-6 | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 756 | 125,81 ₽ | ||
| M95256-WMN6TPарт. 121515 | M95256-WMN6TP, Память EEPROM ST Microelectronics, 2.5 В/5.5 В, 20 МГц, корпус SOIC-8 | ST Microelectronics | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 2183 | 46,54 ₽ | ||
| M24M01-RMN6TPарт. 121514 | M24M01-RMN6TP, Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics, шина I2C, 1МБит 128К x 8, 2.5В/3.3В/5В, корпус SOIC-8 | ST Microelectronics | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 1649 | 42,63 ₽ | ||
| AT45DB321E-SHF-Tарт. 121492 | AT45DB321E-SHF-T, Флэш-память Renesas(Adesto Technologies), 32Мбит (528 Кб x 8192), 2,3...3,6В, 85МГц, корпус SOIC-8 | Adesto Technologies | SOIC-8 | REEL, 2000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 1826 | 143,73 ₽ | ||
| AT45DB081E-SSHN-Tарт. 121491 | AT45DB081E-SSHN-T, Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip , электропитание 1.7В шина SPI, корпус SOIC-8(Narrow) | Adesto Technologies | SOIC-8 Narrow | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 2880 | 51,03 ₽ | ||
| AT25DF321A-SH-Tарт. 121490 | AT25DF321A-SH-T, Флэш-память Renesas(Adesto Technologies), шина SPI, электропитание 3.3В, 32Мбит (4M x 8), 5нс, корпус SOIC-8 | Renesas | SOIC-8 | REEL, 2000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 766 | 135,04 ₽ | ||
| 24LC256T-I/SNарт. 121310 | 24LC256T-I/SN, Последовательная энергонезависимая память (EEPROM) Microchip, 256КБ(32K x 8), 3А, 400кГц, I2C, 2-Wire Serial, корпус SOIC-8 | Microchip | SOIC-8 | REEL, 3300 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 550 | 46,75 ₽ | ||
| 25LC160AT-I/SNарт. 121235 | Микросхема 25LC160AT-I/SN | Microchip | — | — | — | — | — | под заказ | 72,47 ₽ | ||
| MT29F8G08ABACAWP-IT:Cарт. 121102 | MT29F8G08ABACAWP-IT:C, Микросхема памяти Micron Technology, NAND Flash 8 Gb, 1G X 8, корпус TSOP-48 | Micron Technology | TSOP-48 | TRAY, 960 шт | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | под заказ | 406,87 ₽ | ||
| MT47H64M16NF-25E IT:Mарт. 121080 | MT47H64M16NF-25E IT:M, Микросхема памяти Micron Technology, SDRAM DDR2 1Gb, 64 M x 16, корпус FBGA-84 | Micron Technology | FBGA-84 | TRAY, 1368 шт | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | — | под заказ | 289,99 ₽ | ||
| MT41K256M16TW-107 IT:Pарт. 121079 | MT41K256M16TW-107 IT:P, Микросхема памяти Micron Technology, SDRAM DDR3L 4Gb, 256 M x 16, корпус FBGA-96 | Micron Technology | FBGA-96 | TRAY, 1224 шт | поверхностный (SMT) | -40…+95 °С | 3 | под заказ | 247,18 ₽ | ||
| FM25CL64B-GTRарт. 121074 | FM25CL64B-GTR, Сегнетоэлектрическая память Cypress Semiconductor, SPI, 20МГц, 64Кбит, корпус SOIC-8 | Cypress Semiconductor | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | под заказ | 100,32 ₽ | ||
| JS28F128J3F75Aарт. 121041 | Микросхема JS28F128J3F75A | Micron Technology | — | — | — | — | — | под заказ | 497,39 ₽ | ||
| NT5TU64M16HG-ACIарт. 120983 | Микросхема NT5TU64M16HG-ACI | Nanya Technology | — | — | — | — | — | под заказ | 503,98 ₽ | ||
| S34ML08G101TFI000арт. 120982 | Микросхема S34ML08G101TFI000 | SPANSION | — | — | — | — | — | под заказ | 859,31 ₽ | ||
| MT48LC8M16A2P-6A IT:Lарт. 120971 | Микросхема MT48LC8M16A2P-6A IT:L | Micron Technology | — | — | — | — | — | под заказ | 370,58 ₽ | ||
| M95M01-RMN6Pарт. 120920 | Микросхема M95M01-RMN6P | ST Microelectronics | — | — | — | — | — | под заказ | 266,81 ₽ | ||
| MR25H256CDFарт. 120858 | Микросхема MR25H256CDF | Everspin | — | — | — | — | — | под заказ | — | ||
| MT47H128M16RT-25E IT:Cарт. 120767 | MT47H128M16RT-25E IT:C, Динамическое ОЗУ Micron Technology, DDR2, 2Гбит, 2.5нС, корпус FBGA-84(9x12.5) | Micron Technology | FBGA-84 | TRAY, 1260 шт | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | под заказ | 1 050,20 ₽ | ||
| AT24C256C-MAHL-Tарт. 120714 | Микросхема AT24C256C-MAHL-T | Microchip | — | — | — | — | — | под заказ | 309,34 ₽ | ||
| K4B4G1646E-BYK0арт. 120342 | Микросхема K4B4G1646E-BYK0 | SAMSUNG | — | — | — | — | — | под заказ | 452,88 ₽ | ||
| 24LC512T-I/SMарт. 120236 | 24LC512T-I/SM, Последовательная энергонезависимая память (EEPROM) Microchip, 512КБ (64Kx8), 400КГц, I2C, 2-Wire Serial, корпус SOIJ8 | Microchip | SOIJ8 | REEL, 2100 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 2089 | 68,71 ₽ | ||
| K4B4G1646E-BCNB000арт. 120093 | Микросхема K4B4G1646E-BCNB000 | SAMSUNG | — | — | — | — | — | под заказ | 275,70 ₽ | ||
| M24C02-WMN6TPарт. 119620 | M24C02-WMN6TP, Микросхема памяти ST Microelectronics, EEPROM, I2C, 2K-bit (256 x 8), 400кГц, корпус SOIC-8 | ST Microelectronics | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 2400 | 10,10 ₽ | ||
| M24C64-WMN6TPарт. 119610 | M24C64-WMN6TP, микросхема памяти ST Microelectronics, SOIC-8 | ST Microelectronics | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 600 | 12,80 ₽ | ||
| IS21ES32G-JQLI-TRарт. 119462 | Микросхема IS21ES32G-JQLI-TR | ISSI | — | — | — | — | — | под заказ | 33 908,84 ₽ | ||
| M24C64-RMN6TPарт. 119412 | M24C64-RMN6TP, Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics, 64К-бит, 400КГц, корпус SOIC-8 | ST Microelectronics | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 1393 | 10,39 ₽ | ||
| M24C16-RMN6TPарт. 119411 | M24C16-RMN6TP, Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics, шина I2C, 16K-бит, 2K x 8 2.5В/3.3В/5В, корпус SOIC-8 | ST Microelectronics | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 2940 | 9,64 ₽ | ||
| M24C04-WMN6TPарт. 119410 | M24C04-WMN6TP, Микросхема памяти, EEPROM, I2C, 4K-bit (512 x 8), 400кГц, корпус SOIC-8 | ST Microelectronics | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 1900 | 6,95 ₽ | ||
| M24C02-WDW6TPарт. 119409 | M24C02-WDW6TP, Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics, 2К-бит, 400КГц, корпус TSSOP-8 | ST Microelectronics | TSSOP-8 | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 650 | 10,10 ₽ | ||
| AT24C64D-SSHM-Tарт. 118153 | AT24C64D-SSHM-T, Последовательная энергонезависимая память Microchip, 64K(8K x 8), I2C, 1МГц, корпус SOIC-8 | Microchip | SOIC-8 Narrow | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | — | 1250 | 25,10 ₽ | ||
| AT93C66B-SSHM-Tарт. 118152 | AT93C66B-SSHM-T, микросхема памяти Microchip, SOIC-8 Narrow (SMD), 3-Wire, Microwire, 250ns | Microchip | SOIC-8 Narrow | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | 850 | 19,11 ₽ | ||
| AT24C04C-SSHM-Tарт. 118151 | AT24C04C-SSHM-T, Последовательная энергонезависимая память Microchip, 4K(512 x 8), I2C, 1МГц, корпус SOIC-8 | Microchip | SOIC-8 Narrow | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 520 | 14,44 ₽ | ||
| AT24C256C-SSHL-Tарт. 118148 | AT24C256C-SSHL-T, Последовательная энергонезависимая память Microchip,256K(32K x 8), I2C, 1МГц, корпус SOIC-8 | Microchip | SOIC-8 Narrow | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | — | 960 | 31,55 ₽ | ||
| FM25V05-GTRарт. 118126 | FM25V05-GTR, микросхема памяти Cypress Semiconductor | Cypress Semiconductor | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | под заказ | 256,60 ₽ | ||
| MT47H128M16RT-25E IT:C TRарт. 118104 | MT47H128M16RT-25E IT:C TR, Динамическое ОЗУ Micron Technology, DDR2, 2Гбит, 2.5нС, корпус FBGA-84(9x12.5) | Micron Technology | FBGA-84 | REEL, 1000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | под заказ | 1 023,07 ₽ | ||
| MT47H128M16RT-25E:Cарт. 118103 | MT47H128M16RT-25E:C, микросхема памяти Micron Technology | Micron Technology | TFBGA-84 | TRAY, 1260 шт | поверхностный (SMT) | 0…+85 °С | 3 | под заказ | 843,90 ₽ | ||
| FM25V10-GTRарт. 118102 | FM25V10-GTR, микросхема памяти Cypress Semiconductor | Cypress Semiconductor | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | 246 | 473,49 ₽ | ||
| MT48LC16M16A2P-6A IT:Gарт. 118101 | MT48LC16M16A2P-6A IT:G, Динамическое ОЗУ Micron Technology, 16Meg x 16(4 Meg x 16 x 4 banks), 167МГц, корпус TSOP-54-II | Micron Technology | TSOP-54-II | TRAY, 1080 шт | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | под заказ | 361,61 ₽ | ||
| FM24CL64B-GTRарт. 118100 | FM24CL64B-GTR, ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor, 64Кбит (8К x 8), I2C, 1МГц, 2.7В ... 3.65В, корпус SOIC-8 | Cypress Semiconductor | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | 120 | 108,35 ₽ | ||
| FM24C04B-GTRарт. 118099 | FM24C04B-GTR, микросхема памяти Cypress Semiconductor | Cypress Semiconductor | SOIC-8 | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 3 | 1860 | 121,68 ₽ | ||
| AT45DB641E-SHN-Tарт. 115707 | AT45DB641E-SHN-T, Флэш-память Renesas(Adesto Technologies), SPI, 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages), 85МГц, корпус SOIC-8 (Wide) | Renesas | SOIC-8 Wide | REEL, 2000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 2565 | 343,98 ₽ | ||
| AT45DB161E-SHD-Tарт. 115706 | AT45DB161E-SHD-T, Флэш-память Dialog Semiconductor, 16M (4096 pages x 528 bytes), 85МГц, корпус SOIC-8(Wide) | Adesto Technologies | SOIC-8 Wide | REEL, 2000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 2080 | 89,18 ₽ | ||
| AT45DB041E-SSHN-Tарт. 115705 | AT45DB041E-SSHN-T, Флэш-память Adesto Technologies, SPI, 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages), 85МГц, корпус SOIC-8(Narrow) | Adesto Technologies | SOIC-8 Narrow | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | под заказ | 32,33 ₽ | ||
| AT45DB041E-SHN-Tарт. 115704 | AT45DB041E-SHN-T, Флэш-память Adesto Technologies, SPI, 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages), 85МГц, корпус SOIC-8 (Wide) | Adesto Technologies | SOIC-8 Wide | REEL, 2000 шт. | поверхностный (SMT) | -40…+85 °С | 1 | 1883 | 27,45 ₽ |
