Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
1N60G — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

1N60G

1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул124226
Модель1N60G
ПроизводительHXY
КорпусSOT-223

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусSOT-223
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ119 пФ
Заряд затвора, нКл4 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В600 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А1 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм12 Ом
Напряжение затвор-исток (Vgs), В± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В2…4
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN
УпаковкаREEL, 4000 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

1N60G - N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 600 Вольт, максимальный ток стока 1 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.6 А). Входная ёмкость 119 пФ. Заряд затвора 4 нКл

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж 1N60G

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал