Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
2N7002DW — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

2N7002DW

2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул124223
Модель2N7002DW
ПроизводительHXY
КорпусSOT-363

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусSOT-363
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ50 пФ
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В60 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А115 мА
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм3 Ом
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN+N
УпаковкаREEL, 3000 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

2N7002DW - сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток (Vds) 60 Вольт, максимальный ток стока (Id) 0.115 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А).

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж 2N7002DW

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал