Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
2SB1132 — фото 1
  • Фото 1
  • Фото 2
  • Фото 3
  • Фото 4
  • Чертёж 1

2SB1132

2SB1132 Yongyutai биполярный транзистор PNP, -32 В, -1 А, SOT-89

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул85488
Модель2SB1132
ПроизводительYONGYUTAI
КорпусSOT-89

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительYONGYUTAI
КорпусSOT-89
Граничная частота ft, МГц150 МГц
Коэффициент усиления hFE макс.390
Коэффициент усиления hFE мин.82
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт0,5 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В-40 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В-32 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В-5 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А-1 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В-500 мВ
Способ монтажаповерхностный (SMT)
ТипБиполярный транзистор
Тип проводимостиPNP
УпаковкаREEL, 1000 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

2SB1132 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-89. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -32 В, максимальный ток коллектора Ic max -1 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 82. Граничная частота ft 150 МГц.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж 2SB1132

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал