Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
BDX53C — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

BDX53C

BDX53C JSMSEMI транзистор биполярный составной (Дарлингтона), NPN, 100 В, 8 А, hFE min 1000, TO-220

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул133151
МодельBDX53C
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220
Коэффициент усиления hFE мин.1000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт65 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В100 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В100 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В5 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А8 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В2 В
Способ монтажасквозной (THT)
ТипСоставной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимостиNPN
Упаковка50
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

BDX53C транзистор биполярный составной (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости - NPN. Максимальный ток коллектора (Ic) 8 А, Максимальное напряжение КЭ (Vceo) 100 В. Напряжение насыщения КЭ (Vce(sat)) 2 В. Минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Комплиментарная пара BDX54C.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж BDX53C

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал