Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
BU406 (JSMSEMI) — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

BU406 (JSMSEMI)

BU406 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 200 В, 7 А, TO-220

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул125413
МодельBU406 (JSMSEMI)
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220
Граничная частота ft, МГц10 МГц
Коэффициент усиления hFE макс.100
Коэффициент усиления hFE мин.50
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт60 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В400 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В200 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В6 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А7 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В1 В
Способ монтажасквозной (THT)
Тип проводимостиNPN
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

BU406 биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 200 В, максимальный ток коллектора Ic max 7 А, коэффициент усиления по току hFE 50 ... 100

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж BU406 (JSMSEMI)

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал