Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
FDN5618P — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

FDN5618P

FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул124779
МодельFDN5618P
ПроизводительHXY
КорпусSOT-23

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусSOT-23
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ444 пФ
Заряд затвора, нКл11,3 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В-60 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А-2 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм160 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиP
УпаковкаREEL, 3000 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

FDN5618P P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -2 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 160 мОм (при Vgs = -10 В, Id = -1.5 А). Заряд затвора 11.3 нКл

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж FDN5618P

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал