Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
FDS4435BZ — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

FDS4435BZ

FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8

Чертёж

Обзор товара
Артикул127465
МодельFDS4435BZ
ПроизводительJSMSEMI
КорпусSOP-8

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительJSMSEMI
КорпусSOP-8
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ1,573 нФ
Заряд затвора, нКл33,8 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В-30 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А-9,7 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм28 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиP
УпаковкаREEL, 3000 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

FDS4435BZ полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 28 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-9.7 А). Заряд затвора 33.8 нКл.

Документы и медиа

Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж FDS4435BZ

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал