Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
HXY5N50D — фото 1
  • Фото 1
  • Фото 2
  • Фото 3
  • Фото 4
  • Чертёж 1

HXY5N50D

HXY5N50D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 5 А, 1.8 Ом, 13 нКл, TO-252 (DPAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул123203
МодельHXY5N50D
ПроизводительHXY
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусTO-252 (DPAK)
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ415 пФ
Заряд затвора, нКл13 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В500 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А5 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм1,8 Ом
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

HXY5N50D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 500 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 415 пФ. Заряд затвора 13 нКл

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1Фото 2Фото 3Фото 4
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж HXY5N50D

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал