Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
HXY7N65D — фото 1
  • Фото 1
  • Фото 2
  • Фото 3
  • Чертёж 1

HXY7N65D

HXY7N65D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.4 Ом, 24 нКл, TO-252 (DPAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул123205
МодельHXY7N65D
ПроизводительHXY
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусTO-252 (DPAK)
Диапазон рабочих температур-45…+125 °С
Емкость, пФ1,13 нФ
Заряд затвора, нКл24 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В650 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А7 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм1,4 Ом
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

HXY7N65D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 650 Вольт, максимальный ток стока 7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.4 Ом (при Vgs =10 В, Id = 3.5 А). Входная ёмкость 1130 пФ. Заряд затвора 24 нКл

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1Фото 2Фото 3
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж HXY7N65D

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал