HXY80N03D
HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)
| Артикул | 124793 |
|---|---|
| Модель | HXY80N03D |
| Производитель | HXY |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
Описание
HXY80N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.8 мОм (при Vgs=10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1160 пФ. Заряд затвора 11.1 нКл.
Документы и медиа
- Документация
- Документация, PDF
- Фото товара
- Фото 1
- Схемы и чертежи
- Чертёж 1
Чертёж
Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием
Открыть оригинал