IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, 300Вт, корпус TO-263 (D2PAK)

Сравнить

Обзор товара
Артикул	113112
Модель	IPB107N20N3GATMA1
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	TO-263 (D2PAK)

Цены и наличие

540 шт. · отгрузка со склада

от 2 шт., кратно 1

Цены с НДС
Количество	Цена за шт.	Сумма
от 1 шт.	343,70 ₽	343,70 ₽

Цены с НДС. Оплата по счёту.

РУ Электроникс · https://new2.ruelectronics.tech/product/ipb107n20n3gatma1/ · 15.11.2026

Параметр	Значение	Выбрать
Категория	Транзисторы › Транзисторы полевые
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	TO-263 (D2PAK)
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Емкость, пФ	88 пФ
Заряд затвора, нКл	65 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В	200 В
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм	9,6 мОм
Напряжение затвор-исток (Vgs), В	± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В	3 В
Тип	MOSFET
Тип монтажа	поверхностный (SMT)
Тип проводимости	N
Упаковка	REEL, 1000 шт.

IPB107N20N3GATMA1

Характеристики

Описание

Документы и медиа

Файлы cookie

IPB107N20N3GATMA1

Характеристики

Описание

Документы и медиа