IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3

Сравнить

Обзор товара
Артикул	121612
Модель	IPD122N10N3GATMA1
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	TO-252 (DPAK)

Цены и наличие

1210 шт. · отгрузка со склада

от 10 шт., кратно 1

Цены с НДС
Количество	Цена за шт.	Сумма
от 1 шт.	101,65 ₽	101,65 ₽

Цены с НДС. Оплата по счёту.

РУ Электроникс · https://new2.ruelectronics.tech/product/ipd122n10n3gatma1/ · 15.11.2026

Параметр	Значение	Выбрать
Категория	Транзисторы › Транзисторы полевые
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	TO-252 (DPAK)
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Емкость, пФ	2,5 нФ
Заряд затвора, нКл	26 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В	100 В
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм	12,2 мОм
Напряжение затвор-исток (Vgs), В	± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В	3,5 В
Тип	MOSFET
Тип монтажа	поверхностный (SMT)
Тип проводимости	N
Упаковка	REEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1

IPD122N10N3GATMA1

Характеристики

Описание

Документы и медиа

Файлы cookie

IPD122N10N3GATMA1

Характеристики

Описание

Документы и медиа