Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IPD35N10S3L26ATMA1 — фото 1

IPD35N10S3L26ATMA1

IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK)

Обзор товара
Артикул126409
МодельIPD35N10S3L26ATMA1
ПроизводительInfineon Technologies
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительInfineon Technologies
КорпусTO-252 (DPAK)
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Емкость, пФ2,7 нФ
Заряд затвора, нКл39 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В100 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А35 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм24 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN
УпаковкаREEL, 2500 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

N-Channel MOSFET 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Документы и медиа

Фото товара
Фото 1