Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRF530N — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRF530N

IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул125417
МодельIRF530N
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ1,331 нФ
Заряд затвора, нКл53 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В100 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А33 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм38 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажасквозной (THT)
Тип проводимостиN
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRF530N N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 33 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =15 А), заряд затвора 53 нКл.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRF530N

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал