Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRF530NS — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRF530NS

IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул124394
МодельIRF530NS
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-263 (D2PAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-263 (D2PAK)
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ1,331 нФ
Заряд затвора, нКл53 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В100 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А33 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм38 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN
УпаковкаREEL, 800 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRF530NS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-263 (D2PAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 33 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =15 А). Входная ёмкость 1331 пФ. Заряд затвора 53 нКл.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRF530NS

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал