Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRF640N (JSMSEMI) — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRF640N (JSMSEMI)

IRF640NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 18 А, 0.15 Ом, 38 нКл, TO- 220

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул125420
МодельIRF640N (JSMSEMI)
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ1,2 нФ
Заряд затвора, нКл38 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В200 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А18 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм150 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажасквозной (THT)
Тип проводимостиN
УпаковкаTUBE, 50 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRF640N N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 18 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.15 Ом (при Vgs =10 В, Id = 9 А). Входная ёмкость 1200 пФ. Заряд затвора 38 нКл

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRF640N (JSMSEMI)

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал