Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRF7319 — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRF7319

IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул123831
МодельIRF7319
ПроизводительHXY
КорпусSO-8

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусSO-8
Емкость, пФ255 пФ
Заряд затвора, нКл5,2 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В30 / -30
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А6 / -5,5
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм40 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN+P
УпаковкаREEL, 3000 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRF7319 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 6 А / -5.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 40 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRF7319

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал