IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF, Сборка из полевых N и P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 55В, 4.7А/3.4 А, 2.0Вт, корпус SOIC-8

Сравнить

Обзор товара
Артикул	121663
Модель	IRF7343TRPBF
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	SO-8

Цены и наличие

10314 шт. · отгрузка со склада

от 25 шт., кратно 1

Цены с НДС
Количество	Цена за шт.	Сумма
от 1 шт.	42,33 ₽	42,33 ₽

Цены с НДС. Оплата по счёту.

РУ Электроникс · https://new2.ruelectronics.tech/product/irf7343trpbf/ · 15.11.2026

Параметр	Значение	Выбрать
Категория	Транзисторы › Транзисторы полевые
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	SO-8
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	740 пФ
Заряд затвора, нКл	36 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В	55 / -55
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А	4,7 / -3,4
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм	50 мОм
Напряжение затвор-исток (Vgs), В	± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В	1 В
Тип	MOSFET
Тип монтажа	поверхностный (SMT)
Тип проводимости	N+P
Упаковка	REEL, 4000 шт.

IRF7343TRPBF

Характеристики

Описание

Документы и медиа

Файлы cookie

IRF7343TRPBF

Характеристики

Описание

Документы и медиа