Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRF7807Z — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRF7807Z

IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул123838
МодельIRF7807Z
ПроизводительHXY
КорпусSOP-8

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусSOP-8
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ583 пФ
Заряд затвора, нКл6 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В30 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А8,5 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм18 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRF7807ZTRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRF7807Z

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал