Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRF830 — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRF830

IRF830PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 550 В, 4 А, TO-220

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул83582
МодельIRF830
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ560 пФ
Заряд затвора, нКл12 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В550 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А4 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм2,2 Ом
ТипMOSFET
Тип монтажасквозной (THT)
Тип проводимостиN
Упаковка50
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRF830PBF N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 550 Вольт, максимальный ток стока 4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 2.2 Ом (при Vgs=10 В, Id =2 А).

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRF830

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал