Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRF830APBF — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRF830APBF

IRF830APBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 550 В, 4 А, TO-220

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул83597
МодельIRF830APBF
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В550 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А4 А
ТипMOSFET
Тип монтажасквозной (THT)
Тип проводимостиN
Упаковка50
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRF830APBF полевой транзистор (MOSFET) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости N. Максимальное напряжение сток-исток Vds 550 В, максимальный ток стока Id 4 А.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRF830APBF

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал