IRF8910TRPBF

IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8

Сравнить

Обзор товара
Артикул	122154
Модель	IRF8910TRPBF
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	SO-8

Цены и наличие

1880 шт. · отгрузка со склада

от 20 шт., кратно 1

Цены с НДС
Количество	Цена за шт.	Сумма
от 1 шт.	51,04 ₽	51,04 ₽

Цены с НДС. Оплата по счёту.

РУ Электроникс · https://new2.ruelectronics.tech/product/irf8910trpbf/ · 15.11.2026

Параметр	Значение	Выбрать
Категория	Транзисторы › Транзисторы полевые
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	SO-8
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	960 пФ
Заряд затвора, нКл	11 нКл
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А	10 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм	13,4 мОм
Напряжение затвор-исток (Vgs), В	± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В	2,55 В
Тип	MOSFET
Тип монтажа	поверхностный (SMT)
Тип проводимости	2N
Упаковка	REEL, 4000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1

IRF8910TRPBF

Характеристики

Описание

Документы и медиа

Файлы cookie

IRF8910TRPBF

Характеристики

Описание

Документы и медиа