IRFBG30PBF

IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3

Сравнить

Обзор товара
Артикул	121127
Модель	IRFBG30PBF
Производитель	VISHAY
Корпус	TO-220AB

Цены и наличие

1000 шт. · отгрузка со склада

от 25 шт., кратно 1

Цены с НДС
Количество	Цена за шт.	Сумма
от 1 шт.	83,35 ₽	83,35 ₽

Цены с НДС. Оплата по счёту.

РУ Электроникс · https://new2.ruelectronics.tech/product/irfbg30pbf/ · 15.11.2026

Параметр	Значение	Выбрать
Категория	Транзисторы › Транзисторы полевые
Производитель	VISHAY
Корпус	TO-220AB
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	980 пФ
Заряд затвора, нКл	80 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В	1 кВ
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм	5 мОм
Напряжение затвор-исток (Vgs), В	± 20
Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В	4 В
Тип	MOSFET
Тип монтажа	сквозной (THT)
Тип проводимости	N
Упаковка	TUBE, 1000 шт.

IRFBG30PBF

Характеристики

Описание

Документы и медиа

Файлы cookie

IRFBG30PBF

Характеристики

Описание

Документы и медиа