Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRLR3636 — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRLR3636

IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул124777
МодельIRLR3636
ПроизводительHXY
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы полевые
ПроизводительHXY
КорпусTO-252 (DPAK)
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Емкость, пФ2,68 нФ
Заряд затвора, нКл45 нКл
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В60 В
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А80 А
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм8,3 мОм
ТипMOSFET
Тип монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиN
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRLR3636ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRLR3636

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал