Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
MJD117 — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

MJD117

MJD117 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) PNP -100 В, -2 А, TO-252 (DPAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул120851
МодельMJD117
ПроизводительCJ
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительCJ
КорпусTO-252 (DPAK)
Граничная частота ft, МГц25 МГц
Коэффициент усиления hFE макс.12000
Коэффициент усиления hFE мин.500
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт1,5 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В-100 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В-100 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В-5 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А-2 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В-3 В
Способ монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиPNP
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500.
Комплементарная пара: MJD112

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж MJD117

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал