Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
MJD122 — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

MJD122

MJD122 Yongyutai биполярный составной транзистор (Дарлингтона) NPN 100 В, 3 А, TO-252 (DPAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул120116
МодельMJD122
ПроизводительYONGYUTAI
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительYONGYUTAI
КорпусTO-252 (DPAK)
Коэффициент усиления hFE мин.1000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт20 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В100 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В100 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В5 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А3 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В4 В
Способ монтажаповерхностный (SMT)
ТипСоставной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимостиNPN
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) 100 В, максимальный ток коллектора (Ic) 3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000.
Комплементарная пара: MJD127

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж MJD122

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал