Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
MJD122T4 — фото 1

MJD122T4

MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

Обзор товара
Артикул119801
МодельMJD122T4
ПроизводительST Microelectronics
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительST Microelectronics
КорпусTO-252 (DPAK)
Коэффициент усиления hFE мин.1000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт20 Вт
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В100 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А8 А
Способ монтажаповерхностный (SMT)
ТипСоставной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимостиNPN
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

Документы и медиа

Фото товара
Фото 1