Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
MJD127T4G — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

MJD127T4G

MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул125412
МодельMJD127T4G
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-252 (DPAK)
Граничная частота ft, МГц4 МГц
Коэффициент усиления hFE макс.20000
Коэффициент усиления hFE мин.1000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт20 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В-100 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В-100 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В-5 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А-8 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В-4 В
Способ монтажаповерхностный (SMT)
ТипСоставной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимостиPNP
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж MJD127T4G

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал