Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
MJD45H11T4G — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

MJD45H11T4G

MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK)

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул127469
МодельMJD45H11T4G
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-252 (DPAK)

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-252 (DPAK)
Граничная частота ft, МГц40 МГц
Коэффициент усиления hFE мин.40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт50 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В-80 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В-5 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А-8 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В-1 В
Способ монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиPNP
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD44H11T4G

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж MJD45H11T4G

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал