Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
MJE350G — фото 1

MJE350G

MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126

Обзор товара
Артикул120813
МодельMJE350G
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-126

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-126
Коэффициент усиления hFE мин.100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В-300 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В-300 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А-500 мА
Способ монтажасквозной (THT)
Тип проводимостиPNP
Упаковка500
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

MJE350G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости PNP. Максимальный ток коллектора -0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo -300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo -300 В, коэффициент усиления hFE 30 ... 240.
Комплементарная пара: MJE340G

Документы и медиа

Фото товара
Фото 1