Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
MMBTH10 — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

MMBTH10

MMBTH10, биполярный транзистор HXY NPN, 25 В, 0.05 А, корпус SOT-23

Документация Чертёж

Обзор товара
Артикул123821
МодельMMBTH10
ПроизводительHXY
КорпусSOT-23

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › Транзисторы биполярные
ПроизводительHXY
КорпусSOT-23
Граничная частота ft, МГц650 МГц
Коэффициент усиления hFE макс.200
Коэффициент усиления hFE мин.100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт0,225 Вт
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В30 В
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В25 В
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В3 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic), А50 мА
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В500 мВ
Способ монтажаповерхностный (SMT)
Тип проводимостиNPN
УпаковкаREEL, 3000 шт.
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

MMBTA42 - биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 25 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.1 А, коэффициент усиления по току hFE 100...200. Граничная частота 650 МГц.

Документы и медиа

Документация
Документация, PDF
Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж MMBTH10

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал