FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm

Сравнить

Обзор товара
Артикул	126143
Модель	FF200R12KT4HOSA1
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	62 мм

Цены и наличие

Под заказ · срок уточнит менеджер

Цены с НДС
Количество	Цена за шт.	Сумма
от 1 шт.	5 980,00 ₽	5 980,00 ₽

Цены с НДС. Оплата по счёту.

РУ Электроникс · https://new2.ruelectronics.tech/product/ff200r12kt4hosa1/ · 15.11.2026

Параметр	Значение	Выбрать
Категория	Транзисторы › IGBT транзисторы
Производитель	Infineon Technologies
Корпус	62 мм
Диапазон рабочих температур	-40…+150 °С
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В	1,2 кВ
Максимальный ток коллектора (Ic), А	200 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В	2,05 В
Пороговое напряжение затвор-эмиттер Vge(th), В	5,8 В
Потери на переключение при 25°С (Ets), мДж	35
Тип	IGBT модуль
Упаковка	TRAY, 10 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1

FF200R12KT4HOSA1

Характеристики

Описание

Документы и медиа

Файлы cookie

FF200R12KT4HOSA1

Характеристики

Описание

Документы и медиа