IGBT транзисторы
Найдено: 43
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Диапазон рабочих температур | Максимальное напряжение КЭ (Vces), В | Максимальный ток коллектора (Ic), А | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW60H65DFBарт. 138201 | STGW60H65DFB, IGBT транзистор ST Microelectronics, 650В, 80А, корпус TO-247-3 | ST Microelectronics | — | — | — | — | — | под заказ | 257,25 ₽ | ||
| BRPGB100N65BHAарт. 138126 | Транзистор BRPGB100N65BHA | BlueRoc | — | IGBT | — | 650 В | 100 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| BRPGB100N65AHAарт. 138125 | Транзистор BRPGB100N65AHA | BlueRoc | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | 650 В | 100 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| BRGB75L65AHAарт. 138124 | Транзистор BRGB75L65AHA | BlueRoc | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | 650 В | 75 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| BRGB40L65AHAарт. 138123 | Транзистор BRGB40L65AHA | BlueRoc | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | 650 В | 40 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| BRGB40N65AHAарт. 138122 | Транзистор BRGB40N65AHA | BlueRoc | TO-247 | IGBT | -55…+175 °С | 650 В | 40 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| BRGB75N65AHAарт. 138121 | Транзистор BRGB75N65AHA | BlueRoc | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | 650 В | 75 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| BRGB15N65FLарт. 138120 | Транзистор BRGB15N65FL | BlueRoc | TO-220F | IGBT | -55…+175 °С | 650 В | 15 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| BRGB6N65DPарт. 138119 | Транзистор BRGB6N65DP | BlueRoc | TO-252 (DPAK) | IGBT | -55…+175 °С | 650 В | 6 А | под заказ | 152,10 ₽ | ||
| FP40R12KT3BOSA1арт. 133625 | Транзистор FP40R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | EconoPIM | IGBT модуль | -40…+125 °С | 1,2 кВ | 40 А | под заказ | 7 167,41 ₽ | ||
| FP75R12KE3BOSA1арт. 133591 | Транзистор FP75R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | EconoPIM | IGBT модуль | -40…+125 °С | 1,2 кВ | 75 А | под заказ | 32 867,06 ₽ | ||
| G40T120AK3Sарт. 133566 | Транзистор G40T120AK3S | CRMICRO | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | 1,2 кВ | 40 А | под заказ | 562,33 ₽ | ||
| IRGP4063DPBF (JSMSEMI)арт. 133152 | IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247 | JSMSEMI | TO-247 | IGBT | -55…+175 °С | 650 В | 100 А | 145 | 237,19 ₽ | ||
| IHW30N135R5XKSA1арт. 132797 | IHW30N135R5XKSA1, IGBT транзистор,1350В,30А, корпус TO247-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 245 | 224,96 ₽ | ||
| GD40PIY120C5Sарт. 132236 | Транзистор GD40PIY120C5S | STARPWR | C5 | IGBT модуль | -40…+125 °С | 1,2 кВ | 40 А | 2 | 4 376,73 ₽ | ||
| GD100HFU120C1Sарт. 129856 | Транзистор GD100HFU120C1S | STARPWR | 32 мм | IGBT модуль | -40…+125 °С | 1,2 кВ | 100 А | под заказ | 5 778,84 ₽ | ||
| IKW75N65EH5XKSA1арт. 129609 | IKW75N65EH5XKSA1, IGBT транзистор , 650В, 90А, 395Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 218,40 ₽ | ||
| SGT50T65FD1PNарт. 127248 | Транзистор SGT50T65FD1PN | SILAN | — | — | — | — | — | 1200 | 87,93 ₽ | ||
| IKW30N60DTPXKSA1арт. 126452 | IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 256 | 360,40 ₽ | ||
| IGW30N60H3FKSA1арт. 126412 | IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | 600 В | 30 А | 96 | 437,83 ₽ | ||
| IKW30N65H5XKSA1арт. 126411 | IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 75 | 240,24 ₽ | ||
| IKW50N60DTPXKSA1арт. 126410 | IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 180 | 285,30 ₽ | ||
| IRGP4063DPBFарт. 126367 | IRGP4063DPBF, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 96А, 330Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 16,56 ₽ | ||
| IRG4PC50WPBFарт. 126365 | IRG4PC50WPBF | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 16,56 ₽ | ||
| IRG4PC50UDPBFарт. 126364 | IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 16,56 ₽ | ||
| IKW50N60H3FKSA1арт. 126158 | IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | — | 600 В | 100 А | 150 | 259,35 ₽ | ||
| IKW40N120T2FKSA1арт. 126147 | IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 90 | 328,50 ₽ | ||
| FF300R12KS4HOSA1арт. 126144 | FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm | Infineon Technologies | 62 мм | IGBT модуль | -40…+125 °С | 1,2 кВ | 300 А | 20 | 13 167,56 ₽ | ||
| FF200R12KT4HOSA1арт. 126143 | FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm | Infineon Technologies | 62 мм | IGBT модуль | -40…+150 °С | 1,2 кВ | 200 А | под заказ | 5 980,00 ₽ | ||
| IKW40N120H3FKSA1арт. 126140 | IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | — | — | — | под заказ | 244,90 ₽ | ||
| STGP19NC60HDарт. 125219 | STGP19NC60HD, IGBT транзистор ST Microelectronics, 21А, 600В,130Вт, корпус TO-220-3 | ST Microelectronics | — | — | — | — | — | 450 | 212,28 ₽ | ||
| IHW20N135R5арт. 125068 | Транзистор IHW20N135R5 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 150,98 ₽ | ||
| IHW30N160R5арт. 124939 | Транзистор IHW30N160R5 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 229,43 ₽ | ||
| IKP40N65H5XKSA1арт. 122118 | IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3 | Infineon Technologies | TO-220 | IGBT | — | 650 В | — | 120 | 392,51 ₽ | ||
| IKW40N65ES5XKSA1арт. 121687 | IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | — | — | под заказ | 145,17 ₽ | ||
| IKW50N65ES5XKSA1арт. 121647 | IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | — | — | 64 | 407,85 ₽ | ||
| IKW25N120H3FKSA1арт. 121646 | IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | -40…+175 °С | — | — | 250 | 225,70 ₽ | ||
| NGTB25N120FL2WAGарт. 121472 | Транзистор NGTB25N120FL2WAG | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 428,45 ₽ | ||
| FGH60N60SMDарт. 120048 | FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3 | ON Semiconductor | TO-247 | IGBT | -55…+175 °С | 600 В | 60 А | 340 | 223,13 ₽ | ||
| FGH40N60SMDарт. 120047 | FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3 | ON Semiconductor | TO-247 | IGBT | -55…+175 °С | 600 В | 40 А | 2605 | 194,81 ₽ | ||
| FGH40N60SFDTUарт. 120039 | FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3 | ON Semiconductor | TO-247 | IGBT | -55…+150 °С | 600 В | 40 А | 540 | 193,28 ₽ | ||
| IRGP50B60PD1PBFарт. 113173 | IRGP50B60PD1PBF, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600 В 75 А 390 Вт Infineon Technologies | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | -55…+150 °С | — | — | под заказ | 540,47 ₽ | ||
| IKA10N60TXKSA1арт. 113161 | IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack | Infineon Technologies | TO-220F | IGBT | -40…+175 °С | — | — | 1184 | 103,49 ₽ |
