Перейти к содержимому

Настройки cookie

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.
+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина
IRGP4063DPBF (JSMSEMI) — фото 1
  • Фото 1
  • Чертёж 1

IRGP4063DPBF (JSMSEMI)

IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247

Чертёж

Обзор товара
Артикул133152
МодельIRGP4063DPBF (JSMSEMI)
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-247

Характеристики

ПараметрЗначениеВыбрать
КатегорияТранзисторы › IGBT транзисторы
ПроизводительJSMSEMI
КорпусTO-247
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В650 В
Максимальный ток коллектора (Ic), А100 А
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В1,65 В
Пороговое напряжение затвор-эмиттер Vge(th), В5,3 В
Потери на переключение при 25°С (Ets), мДж2,6
Способ монтажасквозной (THT)
ТипIGBT
Отметьте параметры, чтобы найти похожие товары

Описание

IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.

Документы и медиа

Фото товара
Фото 1
Схемы и чертежи
Чертёж 1

Чертёж

Чертёж IRGP4063DPBF (JSMSEMI)

Колесо — масштаб, перетаскивание — сдвиг, двойной клик — увеличитьМасштаб — двумя пальцами или двойным касанием

Открыть оригинал