Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина

Транзисторы полевые

Фильтры
Производитель
Корпус
Тип монтажа
Тип
Тип проводимости
Упаковка
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В
Диапазон рабочих температур
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм
Заряд затвора, нКл
Емкость, пФ

Найдено: 1072 · показаны 551–600

Сравнить Фото Модель Наименование Производитель Корпус Тип монтажа Тип Тип проводимости Упаковка Наличие, шт. Цена от
NE6510179A-T1арт. 127209 Транзистор NE6510179A-T1 NEC — ———— под заказ 400,79 ₽
IRF840APBFарт. 127143 IRF840APBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB VISHAY TO-220AB сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. под заказ 58,93 ₽
BSS138PWарт. 127128 BSS138PW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 2.2 Ом, SOT-323 Elecsuper SOT-323 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 264 1,09 ₽
IRFR1018Eарт. 127114 IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK) HXY TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 2360 36,99 ₽
20N50арт. 127113 20N50 HXY полевой транзистор (MOSFET) , N-канал, 500 В, 20 А, 300 мОм, 63 нКл, TO-220F HXY TO-220F сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. под заказ 67,14 ₽
IRLZ44Nарт. 127112 IRLZ44NPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 60 А, 20 мОм, TO-220 HXY TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. под заказ 28,73 ₽
IRF9358арт. 127111 IRF9358 HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), P+P канал, -30 В, -11 А, 18 мОм, 22 нКл, SOP-8 HXY SO-8 поверхностный (SMT)MOSFET2PREEL, 3000 шт. 2660 24,12 ₽
FDD8447Lарт. 127109 FDD8447L HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 60 А, 8.5 мОм, TO-252 (DPAK) HXY TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 375 23,30 ₽
AO3400 (HXY)арт. 127107 AO3400 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 12000 2,07 ₽
IRFP9240арт. 126981 IRFP9240PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -12 А, 420 мОм, TO-247AC JSMSEMI TO-247 сквозной (THT)MOSFETPTUBE, 30 шт. 410 125,57 ₽
STB11NK40Zарт. 126980 STB11NK40ZT4 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 550 мОм, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) JSMSEMI TO-263 (D2PAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 1600 шт. 1430 49,87 ₽
IRF740ASарт. 126979 IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) JSMSEMI TO-263 (D2PAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 800 шт. 1080 49,87 ₽
IRFR540Zарт. 126978 IRFR540ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 36 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO-252 (DPAK) JSMSEMI TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 2275 38,04 ₽
STD35NF06арт. 126849 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 17 мОм, 36 нКл, TO-252 (DPAK) HXY TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 2400 21,92 ₽
IRF9335арт. 126848 IRF9335 HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 HXY SO-8 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 5450 15,90 ₽
FDS9431Aарт. 126847 FDS9431A HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 HXY SOP-8 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 2700 13,43 ₽
IRFP3206арт. 126841 IRFP3206PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 6 мОм, TO-247AC JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 240 87,35 ₽
IRFP240арт. 126840 IRFP240PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 20 А, 120 мОм, TO-247AC JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 570 61,48 ₽
IRFB3607арт. 126839 IRFB3607PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 100 А, 8.2 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 840 25,62 ₽
IRFR120Nарт. 126836 IRFR120NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 112 мОм, 26.2 нКл, TO-252 (DPAK) JSMSEMI TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 1500 12,68 ₽
BSC340N08NS3Gарт. 126583 BSC340N08NS3G, Infineon Technologies Infineon Technologies — ———— под заказ 28,76 ₽
SUM110P08-11L-E3арт. 126490 SUM110P08-11L-E3, Полевой P-канальный транзистор VISHAY, 80В, 110A, корпус TO-263-3 (D2PAK) VISHAY TO-263 (D2PAK) поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 800 шт. 195 341,25 ₽
50N03арт. 126457 50N03 KUU полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 50 А, 10 мОм, 43 нКл, TO-252 (DPAK) KUU TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 5500 7,72 ₽
IRF6216TRPBFарт. 126413 IRF6216TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 2.2A, корпус SOIC-8 Infineon Technologies — ———— 3775 42,91 ₽
IPD35N10S3L26ATMA1арт. 126409 IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK) Infineon Technologies TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 1920 58,96 ₽
IRLR3110ZPBFарт. 126368 IRLR3110ZPBF Infineon Technologies TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNTube, 75 шт. под заказ 16,56 ₽
SPW17N80C3FKSA1арт. 126286 SPW17N80C3FKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 800В, 17A, 208Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies — ———— 490 284,81 ₽
IRLR3636TRPBFарт. 126282 IRLR3636TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 99А, 143Вт, корпус DPAK(TO-252-3) Infineon Technologies TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2000 шт. 1200 63,34 ₽
IRLML2060TRPBFарт. 126276 IRLML2060TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 1.25Вт, корпус Micro3™ (SOT-23-3) Infineon Technologies — поверхностный (SMT)——— 8550 8,85 ₽
IRLML9303TRPBFарт. 126275 IRLML9303TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В, 2.3А, 1.25Вт, корпус SOT-23-3 Infineon Technologies — поверхностный (SMT)——— под заказ 8,14 ₽
IRLU024NPBFарт. 126274 IRLU024NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 17А, 38Вт, 0.065 Ом, корпус IPAK (TO-251) Infineon Technologies — ———— 1350 36,80 ₽
IRLZ44NPBFарт. 126271 IRLZ44NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 47А, 83Вт, 0.022 Ом, корпус TO-220AB Infineon Technologies — сквозной (THT)——— под заказ 70,04 ₽
IRFP150NPBFарт. 126269 IRFP150NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 39А, 140Вт, 0.036 Ом, корпус TO-247-3 Infineon Technologies — ———— 200 66,10 ₽
IRFP2907PBFарт. 126268 IRFP2907PBF, Полевой транзистор Infineon Technologies, N-канальный, 75В, 209А, 470Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies — ———— 490 188,33 ₽
IRFP4332PBFарт. 126267 IRFP4332PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 250В, 360Вт, корпус TO- 247-3 Infineon Technologies — ———— 425 242,69 ₽
IRFP4868PBFарт. 126266 IRFP4868PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 300В, 70А, 517Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies — ———— 411 275,01 ₽
IRFP7718PBFарт. 126265 IRFP7718PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,75В, 195А, 517Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 25 шт. 200 381,62 ₽
IRFR3710ZTRPBFарт. 126264 IRFR3710ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,100В, 42A, корпус DPAK(TO-252-3) Infineon Technologies — поверхностный (SMT)——— 920 57,96 ₽
IRFR4615TRLPBFарт. 126263 IRFR4615TRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 33A, корпус DPAK(TO-252-3) Infineon Technologies — ———— 720 63,06 ₽
IRFS4227TRLPBFарт. 126262 IRFS4227TRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 62A, корпус D2Pak (TO-263-3) Infineon Technologies — ———— 645 123,10 ₽
IRFU5305PBFарт. 126261 IRFU5305PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 31А, 110Вт, корпус TO-251AA(I-Pak) Infineon Technologies — ———— 925 63,50 ₽
IRFR3710ZTRLPBFарт. 126260 IRFR3710ZTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,100В, 42A, 140Вт, корпус DPAK(TO-252-3) Infineon Technologies — поверхностный (SMT)——— под заказ 71,28 ₽
IRFP064NPBFарт. 126259 IRFP064NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, 0.008 Ом, корпус TO-247-3 Infineon Technologies TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 25 шт. 1125 63,50 ₽
IRFB4115PBFарт. 126258 IRFB4115PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 104А, 380Вт, корпус TO- 220-3 Infineon Technologies — ———— 300 81,90 ₽
IRFB3307ZPBFарт. 126257 IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, корпус TO-220-3 Infineon Technologies — ———— 276 88,50 ₽
IRF7530TRPBFарт. 126191 IRF7530TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 5.4A, 1.3Вт, корпус Micro8 Infineon Technologies Micro8 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 4000 шт. под заказ 50,42 ₽
IRF7241TRPBFарт. 126190 IRF7241TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 40В, 6.2А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 Infineon Technologies — ———— под заказ 55,95 ₽
IRF640NSTRLPBFарт. 126189 IRF640NSTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 18А, 150Вт, корпус D2Pak (TO-263) Infineon Technologies TO-263 (D2PAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 800 шт. 763 42,83 ₽
IRF7820TRPBFарт. 126186 IRF7820TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 3.7A, корпус SOIC-8 Infineon Technologies — ———— 3790 76,46 ₽
IRF7425TRPBFарт. 126185 IRF7425TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 20В,15A, корпус SOIC-8 Infineon Technologies — ———— 620 73,41 ₽

На странице: 2550100