Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина

Транзисторы полевые

Фильтры
Производитель
Корпус
Тип монтажа
Тип
Тип проводимости
Упаковка
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В
Диапазон рабочих температур
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм
Заряд затвора, нКл
Емкость, пФ

Найдено: 1072 · показаны 601–650

Сравнить Фото Модель Наименование Производитель Корпус Тип монтажа Тип Тип проводимости Упаковка Наличие, шт. Цена от
IRF3415PBFарт. 126184 IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3 Infineon Technologies TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 980 83,35 ₽
IRFB260NPBFарт. 126183 IRFB260NPBF Infineon Technologies TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 950 115,29 ₽
IRF7413ZTRPBFарт. 126180 IRF7413ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В,13A, 2.5Вт, корпус SOIC-8 Infineon Technologies — ———— под заказ 38,53 ₽
IRF7104TRPBFарт. 126179 IRF7104TRPBF, Сборка полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 2.3А, 2Вт, корпус SOIC-8 Infineon Technologies — ———— 3925 37,42 ₽
BSS83PH6327XTSA1арт. 126156 BSS83PH6327XTSA1, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.33А, 0.36Вт, 2.0 Ом, корпус SOT-23-3 Infineon Technologies — поверхностный (SMT)——— 5250 8,39 ₽
IPT007N06NATMA1арт. 126152 IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8 Infineon Technologies HSOF-8 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 200 шт. 165 260,19 ₽
IPW60R080P7XKSA1арт. 126151 IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies — ———— 158 559,65 ₽
IPW60R099C6FKSA1арт. 126150 IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 37.9A, 278Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies TO-247 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 10 463,39 ₽
IPW60R060P7XKSA1арт. 126149 IPW60R060P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 48A, 164Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies TO-247 сквозной (THT)MOSFET—TUBE, 30 шт. под заказ 205,98 ₽
BSS84PH6327XTSA2арт. 126139 BSS84PH6327XTSA2, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3 Infineon Technologies — ———— 28750 4,51 ₽
IPP110N20N3GXKSA1арт. 126137 IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3 Infineon Technologies — ———— под заказ 310,00 ₽
IPW60R041C6FKSA1арт. 126136 IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3 Infineon Technologies TO-247 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 18 600,61 ₽
IPD65R400CEAUMA1арт. 126134 IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK) Infineon Technologies — ———— 587 80,50 ₽
PMV65XP,215арт. 125934 PMV65XP,215 , Полевой P-канальный транзистор NEXPERIA, 20В, 2.8A, 480мВт, корпус SOT-23-3 NEXPERIA — ———— под заказ 4,42 ₽
IRF6727MTRPBFарт. 125599 Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX] Infineon Technologies — ———— под заказ 114,01 ₽
IRFP4868арт. 125442 IRFP4868PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 300 В, 80 А, 35 мОм, TO-247AC JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 375 201,57 ₽
IRFP4332арт. 125438 IRFP4332PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 250 В, 70 А, 45 мОм, TO-247AC JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 510 159,52 ₽
IRFB4321арт. 125436 IRFB4321PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 50 А, 50 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 920 94,50 ₽
IRFP3306арт. 125434 IRFP3306PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 6 мОм, 115 нКл, TO- 247AC JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 760 70,61 ₽
IRFP1405арт. 125433 IRFP1405PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 100 А, 5 мОм, 115 нКл, TO- 247AC JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 585 89,58 ₽
IRFP054Nарт. 125432 IRFP054NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 100 А, 6 мОм, 115 нКл, TO- 247AC JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 420 89,58 ₽
IRF3415арт. 125431 IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 290 60,35 ₽
IRF5210арт. 125429 IRF5210PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -40 А, 55 мОм, 180 нКл, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETPTUBE, 50 шт. 930 69,76 ₽
IRFB3206арт. 125428 IRFB3206NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 5 мОм, 115 нКл, TO- 220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. под заказ 54,88 ₽
IRF3710Sарт. 125427 IRF3710STRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 60 А, 17.5 мОм, 146 нКл, TO-263 (D2PAK) JSMSEMI TO-263 (D2PAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 800 шт. 1380 44,41 ₽
IRF3205Zарт. 125426 IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 1720 49,57 ₽
IRF9630арт. 125425 IRF9630PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -10 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETPTUBE, 50 шт. 750 30,29 ₽
IRF9Z34NSарт. 125424 IRF9Z34NSTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-263 (D2PAK) JSMSEMI TO-263 (D2PAK) поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 800 шт. 1060 30,29 ₽
IRF9640арт. 125423 IRF9640PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -15 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETPTUBE, 50 шт. 5 30,29 ₽
STP60NF06арт. 125422 STP60NF06FP JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 60 А, 22 мОм, TO-220F JSMSEMI TO-220F сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 520 34,70 ₽
IRF5305арт. 125421 IRF5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETPTUBE, 50 шт. 1050 35,84 ₽
IRF640N (JSMSEMI)арт. 125420 IRF640NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 18 А, 0.15 Ом, 38 нКл, TO- 220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 626 25,78 ₽
IRF530Nарт. 125417 IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 100 16,98 ₽
IRF7828арт. 125416 IRF7828 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 15 А, 11 мОм, 20.8 нКл, SOP-8 JSMSEMI SO-8 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 4000 шт. 3850 12,30 ₽
FDN86246арт. 125415 FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23 JSMSEMI SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 1750 10,25 ₽
IRFR024Nарт. 125414 IRFR024N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, 36 мОм, TO-252 (DPAK) JSMSEMI TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 3300 10,25 ₽
IRFR9024Nарт. 125411 IRFR9024N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -15 А, 90 мОм, TO-252 (DPAK) JSMSEMI TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 2500 шт. 10350 9,85 ₽
IRFL4310арт. 125410 IRFL4310TRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 5 А, 120 мОм, 18 нКл, SOT-223 JSMSEMI SOT-223 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 2000 12,68 ₽
JSM50N06Dарт. 125409 JSM50N06D (50N60) JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 15 мОм, 32 нКл, TO-252 (DPAK) JSMSEMI TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 399 7,06 ₽
JSM15N10Dарт. 125408 JSM15N10D (15N10) JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 100 мОм, 24 нКл, TO-252 (DPAK) JSMSEMI TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 4300 7,06 ₽
IRFB4227PBFарт. 125370 IRFB4227PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 200В, 65/130А, 330Вт, 0.0197 Ом, корпус TO-220AB Infineon Technologies — ———— 220 73,51 ₽
FDN360Pарт. 125272 FDN360P KUU полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23 KUU SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 12000 2,84 ₽
2SK3019арт. 125269 2SK3019 KUU полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 0.1 А, 8 Ом, SOT-523 KUU SOT-523 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. под заказ 1,02 ₽
STW9N150арт. 125246 STW9N150 , Полевой транзистор ST Microelectronics, N-канальный, 1500В, 8А, 320Вт, корпус TO-247-3 ST Microelectronics TO-247 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. под заказ 273,96 ₽
HSW4602арт. 124949 Транзистор HSW4602 HUASHUO — ———— под заказ 11,41 ₽
IRF7406арт. 124812 IRF7406 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9 А, 20 мОм, SOP-8 HXY SOP-8 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 500 7,82 ₽
FDN335Nарт. 124811 FDN335N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 2.3 А, 72 мОм, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 12000 2,54 ₽
Si2304DDSарт. 124810 Si2304DDS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 11980 3,37 ₽
9435арт. 124809 9435 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, SOP-8 HXY SOP-8 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 11200 4,05 ₽
AO3420арт. 124808 AO3420 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6.5 А, 22 мОм, SOT-23-3L HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 8600 3,90 ₽

На странице: 2550100