Транзисторы полевые
Найдено: 1072 · показаны 701–750
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип монтажа | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4410арт. 124397 | AO4410 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 5.5 мОм, 81.6 нКл, SOP-8 | JSMSEMI | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 1700 | 11,26 ₽ | ||
| IRFR220Nарт. 124396 | IRFR220NTRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 3664 | 19,15 ₽ | ||
| FQD7N20LTMарт. 124395 | FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 2425 | 25,05 ₽ | ||
| IRF530NSарт. 124394 | IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK) | JSMSEMI | TO-263 (D2PAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 800 шт. | 1460 | 31,24 ₽ | ||
| IRFB7537арт. 124393 | IRFB7537PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 180 А, 5 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | сквозной (THT) | MOSFET | N | — | 275 | 49,82 ₽ | ||
| IRFP7530арт. 124392 | IRFP7530PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 200 А, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | сквозной (THT) | MOSFET | N | — | 567 | 113,86 ₽ | ||
| IRF7205арт. 124228 | IRF7205PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | 2550 | 12,24 ₽ | ||
| 1N60Gарт. 124226 | 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223 | HXY | SOT-223 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 4000 шт. | 2800 | 4,81 ₽ | ||
| 8205Aарт. 124224 | 8205A HXY полевой транзистор (MOSFET), N+N-канал, 20 В, 6 А, 25 мОм, 11 нКл, SOT-23-6 | HXY | SOT-23-6L | поверхностный (SMT) | MOSFET | 2N | REEL, 3000 шт. | 24800 | 2,11 ₽ | ||
| 2N7002DWарт. 124223 | 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363 | HXY | SOT-363 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N+N | REEL, 3000 шт. | 10800 | 1,74 ₽ | ||
| IRLML6302TRарт. 124122 | IRLML6302TR, Полевой транзистор UMW Youtai Semiconductor, P-канальный, 20В, 0.78А, 0.54Вт, корпус SOT-23-3 | UMW Youtai Semiconductor | — | — | — | — | — | 2000 | 3,28 ₽ | ||
| IPP50R280CEXKSA1арт. 123956 | IPP50R280CEXKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Infineon Technologies, 550В, 13A, корпус TO-220-3 | Infineon Technologies | TO-220 | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | под заказ | 108,36 ₽ | ||
| 2SK2232-VBарт. 123932 | Транзистор 2SK2232-VB | VBSEMI | — | — | — | — | — | 94 | 28,96 ₽ | ||
| IRLML6302арт. 123918 | IRLML6302, Транзистор полевой P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт | UMW Youtai Semiconductor | SOT-23 | — | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | под заказ | 0,01 ₽ | ||
| IRLML2246TRPBFарт. 123909 | IRLML2246TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 20В, 2.6А, 1.3Вт, корпус TO-236-3 (Micro3™/SOT-23) | Infineon Technologies | SOT-23 | поверхностный (SMT) | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | 4200 | 7,39 ₽ | ||
| STB6NK60ZT4арт. 123887 | STB6NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 6А, 110Вт, корпус TO-263(D2PAK) | ST Microelectronics | TO-263 (D2PAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 1000 шт. | под заказ | 81,59 ₽ | ||
| STD18N55M5арт. 123886 | STD18N55M5, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 550В, 13А, 90Вт, корпус TO-252 (DPAK) | ST Microelectronics | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 435 | 320,46 ₽ | ||
| STD20NF20арт. 123885 | STD20NF20, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 200В, 18А, 90Вт, корпус TO- 252 (DPAK) | ST Microelectronics | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2000 шт. | 10 | 108,99 ₽ | ||
| STD3NK50ZT4арт. 123884 | STD3NK50ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 500В, 2.3A, корпус TO-252 (DPAK) | ST Microelectronics | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 1450 | 61,89 ₽ | ||
| STD3NK90ZT4арт. 123883 | STD3NK90ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 900В, 3А, 90Вт, корпус TO-252 (DPAK) | ST Microelectronics | TO-252 (DPAK) | — | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | под заказ | — | ||
| STW45NM60арт. 123881 | STW45NM60, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 650В, 45A, корпус TO-247-3 | ST Microelectronics | TO-247 | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | 29 | 672,00 ₽ | ||
| STW4N150арт. 123880 | STW4N150, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 1500В, 4А, 160Вт, корпус TO- 247-3 | ST Microelectronics | TO-247 | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | 220 | 167,99 ₽ | ||
| STP11NM80арт. 123878 | STP11NM80, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 800В, 11A, корпус TO-220-3 | ST Microelectronics | TO-220 | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | 152 | 331,10 ₽ | ||
| IRLR7843арт. 123849 | IRLR7843TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 120 А, 3.8 мОм, 20.6 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 2100 | 45,98 ₽ | ||
| IRFB4410Zарт. 123848 | IRFB4410ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 70 А, 10.5 мОм, 31.3 нКл, TO- 220 | HXY | TO-220 | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | 370 | 43,18 ₽ | ||
| IPD068P03арт. 123847 | IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | P | REEL, 2500 шт. | 2300 | 36,43 ₽ | ||
| IRFR3410арт. 123846 | IRFR3410TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 30 А, 48 мОм, 20 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 2140 | 29,67 ₽ | ||
| IRFR3910арт. 123845 | IRFR3910TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 20 А, 87 мОм, 26.2 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 2300 | 25,63 ₽ | ||
| IRF7104арт. 123844 | IRF7104TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2P-канал, -20 В, -4 А, 95 мОм, 10.6 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | 2P | — | 2050 | 24,29 ₽ | ||
| IRFR3709Zарт. 123843 | IRFR3709ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 2200 | 24,02 ₽ | ||
| IRF7805Zарт. 123842 | IRF7805ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 2900 | 24,02 ₽ | ||
| IRLR3103арт. 123841 | IRLR3103TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 20 А, 25 мОм, 4.9 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 2235 | 21,58 ₽ | ||
| IRF7420арт. 123840 | IRF7420TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | 2000 | 21,58 ₽ | ||
| IRFR5505арт. 123839 | IRFR5505TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -15 А, 82 мОм, 9.86 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | P | — | 5180 | 21,58 ₽ | ||
| IRF7807Zарт. 123838 | IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | — | 650 | 20,24 ₽ | ||
| IRF7404арт. 123837 | IRF7404PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, 35 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | 2025 | 20,24 ₽ | ||
| IRF9956арт. 123836 | IRF9956TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | 2N | REEL, 3000 шт. | 2900 | 19,42 ₽ | ||
| IRF7455арт. 123835 | IRF7455TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 6.5 мОм, 12.6 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 613 | 23,31 ₽ | ||
| IRF7413арт. 123834 | IRF7413TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 5775 | 18,08 ₽ | ||
| IRLR2905арт. 123832 | IRLR2905PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, 26 мОм, 12.6 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | 2150 | 17,56 ₽ | ||
| IRF7319арт. 123831 | IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл, SOP-8 | HXY | SO-8 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N+P | REEL, 3000 шт. | 7250 | 19,31 ₽ | ||
| IRLML2030арт. 123828 | IRLML2030TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 55 мОм, 10 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 4800 | 5,40 ₽ | ||
| IRLML6346арт. 123827 | IRLML6346TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 30 В, 5 А, 42 мОм, 4.6 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 5900 | 5,12 ₽ | ||
| IRLML6246арт. 123826 | IRLML6246TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 6 А, 27 мОм, 10 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 8000 | 3,26 ₽ | ||
| IRFML8244арт. 123825 | IRFML8244TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 28 мОм, 5 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | поверхностный (SMT) | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | 13600 | 3,51 ₽ | ||
| IRLML2246арт. 123824 | IRLML2244TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -5 А, 45 мОм, 10.2 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | поверхностный (SMT) | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | 11800 | 3,14 ₽ | ||
| 2SK1317-Eарт. 123785 | 2SK1317-E, Полевой N-канальный транзистор Renesas Electronics Corporation, 1500В, 2.5А, 100Вт, корпус TO-3P-3(SC-65-3) | Renesas | TO-3P | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | под заказ | 224,69 ₽ | ||
| IRFP4668арт. 123784 | IRFP4668PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 130 А, 27 мОм, 367 нКл, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | 60 | 175,77 ₽ | ||
| IRFP90N20Dарт. 123783 | IRFP90N20DPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 95 А, 30 мОм, 367 нКл, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | 186 | 175,77 ₽ | ||
| IRFP4227арт. 123782 | IRFP4227PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 65 А, 45 мОм, 244 нКл, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | сквозной (THT) | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | 434 | 117,58 ₽ |
