Перейти к содержимому

Выбор хранится год. Изменить его можно в любой момент — ссылка «Настройки cookie» есть внизу каждой страницы.

Подробнее — в политике использования файлов cookie.

+7 (495) 133-10-18 8 (800) 302-54-85
РУ Электроникс — на главную
Каталог
Корзина

Транзисторы полевые

Фильтры
Производитель
Корпус
Тип монтажа
Тип
Тип проводимости
Упаковка
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В
Диапазон рабочих температур
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм
Заряд затвора, нКл
Емкость, пФ

Найдено: 1072 · показаны 801–850

Сравнить Фото Модель Наименование Производитель Корпус Тип монтажа Тип Тип проводимости Упаковка Наличие, шт. Цена от
AO4606арт. 122836 AO4606 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 7.5 А / -4.6 А, 22 мОм, 5.2 нКл, SOP-8 Elecsuper SOP-8 поверхностный (SMT)MOSFETN+PREEL, 3000 шт. 2699 5,76 ₽
BSS138BKSарт. 122830 BSS138BKS Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N+N, 60 В, 0.41 А, 1.9 Ом, 0.65 нКл, SOT-363 Elecsuper SOT-363 поверхностный (SMT)MOSFETN+NREEL, 3000 шт. 13197 1,82 ₽
BSS138NH6327арт. 122829 BSS138NH6327 полевой транзистор (MOSFET), N-канал, SOT-23 Elecsuper SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 9800 0,82 ₽
SI2308Aарт. 122819 SI2308A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 2.5 А, 85 Ом, 2.1 нКл, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 12000 2,16 ₽
IRLML0030арт. 122818 IRLML0030 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 55 мОм, 10 нКл, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 9500 1,01 ₽
BSS169H6327арт. 122817 BSS169H6327 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 29000 0,83 ₽
SI2333арт. 122815 SI2333 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -6.5 А, 28 Ом, 7.8 нКл, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 8850 3,05 ₽
SI2323арт. 122813 SI2323 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -5 А, 45 Ом, 10.2 нКл, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 4500 1,96 ₽
IRFB4115арт. 122812 IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220 HXY TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 533 56,51 ₽
IRFZ44NSарт. 122811 IRFZ44NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 49 А, 13 мОм, 63 нКл, TO-263 (D2PAK) HXY TO-263 (D2PAK) поверхностный (SMT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 1164 21,87 ₽
SI2309Aарт. 122810 SI2309A HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -1.6 А, 160 Ом, 11.3 нКл, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. под заказ 2,71 ₽
SI2300арт. 122809 SI2300 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6 А, 27 мОм, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 23500 0,98 ₽
SI2319арт. 122808 SI2319 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -40 В, -5 А, 85 Ом, 14 нКл, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 15850 2,07 ₽
BSS123 (HXY)арт. 122807 BSS123 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 3000 0,94 ₽
IRLML0100арт. 122806 IRLML0100TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 3 А, 248 мОм, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 17300 1,60 ₽
IRF9Z34NPBFарт. 122729 IRF9Z34NPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 19А, 68Вт, корпус TO-220-3 Infineon Technologies TO-220 сквозной (THT)MOSFETPTUBE, 50 шт. 2900 26,12 ₽
IRFB4110PBFарт. 122728 IRFB4110PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 120А, корпус TO- 220AB Infineon Technologies TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. под заказ 51,20 ₽
IRF830PBFарт. 122727 IRF830PBF, полевой N-канальный транзистор VISHAY, 500В, 4.5А, 74Вт, корпус TO-220-3 VISHAY TO-220 сквозной (THT)MOSFETN50 5008 46,16 ₽
BSC110N15NS5ATMA1арт. 122674 Транзистор BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies — ———— под заказ 170,67 ₽
IRFS7730TRL7PPарт. 122505 Транзистор IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies — ———— под заказ 204,59 ₽
IPB010N06NATMA1арт. 122177 IPB010N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 180A, корпус TO-263-7(D2PAK) Infineon Technologies TO-263-7 (D2PAK) поверхностный (SMT)——REEL, 1000 шт. 280 516,22 ₽
IRF7316TRPBFарт. 122170 IRF7316TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30В, 4.9А, 2.0Вт, корпус SOIC-8 Infineon Technologies SO-8 поверхностный (SMT)MOSFET2PREEL, 4000 шт. 1620 31,77 ₽
IRF7314TRPBFарт. 122169 IRF7314TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 5.3А, 2.0Вт, 0.058 Ом, корпус SOIC-8 Infineon Technologies SO-8 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 4000 шт. 1 50,41 ₽
SI7469DP-T1-E3арт. 122156 SI7469DP-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный Vishay, -80 В, -28 А, 5.2Вт , корпус PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free) VISHAY PowerPAK SO-8 поверхностный (SMT)MOSFETP3000 430 138,34 ₽
IRF7815TRPBFарт. 122155 IRF7815TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 5,1A, корпус SOIC-8 Infineon Technologies SO-8 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 4000 шт. 410 80,93 ₽
IRF8910TRPBFарт. 122154 IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8 Infineon Technologies SO-8 поверхностный (SMT)MOSFET2NREEL, 4000 шт. 1880 51,04 ₽
SIHG20N50C-E3арт. 122153 SIHG20N50C-E3, Транзистор полевой N-канальный Vishay Siliconix, 500В, 20A, 250Вт, корпус TO-247-3 VISHAY TO-247 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 25 шт. 210 123,90 ₽
2SK2394-6-TB-Eарт. 122126 Транзистор 2SK2394-6-TB-E ON Semiconductor — ———— под заказ 205,02 ₽
2N7002,215арт. 122107 2N7002,215 , Полевой N-канальный транзистор Nexperia USA Inc., 60В, 300мА, 0.83Вт, корпус SOT-23-3 NEXPERIA SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. под заказ 1,78 ₽
BSZ440N10NS3Gарт. 122060 Транзистор BSZ440N10NS3G Infineon Technologies — ———— под заказ 63,42 ₽
IRF7351TRPBFарт. 122024 IRF7351TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 60В, 8А, 2.0Вт, корпус SOIC-8 Infineon Technologies SO-8 поверхностный (SMT)MOSFET2NREEL, 4000 шт. под заказ 50,12 ₽
NDT2955арт. 122004 NDT2955 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -3 А, 150 мОм, SOT-223 JSMSEMI SOT-223 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 2500 шт. под заказ 19,08 ₽
IRLML5203TRPBFарт. 121996 IRLML5203TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 30В, 3А ,1,25Вт, корпус SOT-23-3 Infineon Technologies SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 1 9,25 ₽
IRFP450арт. 121994 IRFP450 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 14 А, TO-247AC HXY TO-247AC сквозной (THT)MOSFETN25 410 90,72 ₽
7N65арт. 121993 7N65 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.2 Ом, TO-220F HXY TO-220F сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. 580 17,18 ₽
IRFR024арт. 121992 IRFR024NTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, TO-252 (DPAK) HXY TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 2750 11,18 ₽
BSS83PH6327арт. 121991 BSS83PH6327 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -60 В, -2 А, 160 мОм, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 14500 7,93 ₽
IRLML5203арт. 121986 IRLML5203TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -4.2 А, SOT-23 HXY SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETPREEL, 3000 шт. 699 1,96 ₽
ESNU06R10арт. 121913 ESNU06R10 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 58 А, 7.5 мОм, TO-220 Elecsuper TO-220 сквозной (THT)MOSFETN— 900 16,49 ₽
ESNQ06R10арт. 121912 ESNQ06R10 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 58 А, 7.5 мОм, TO-252 (DPAK) Elecsuper TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 2300 10,58 ₽
ESGNU04R02арт. 121911 ESGNU04R02 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 140 А, 1.65 мОм, TO-220 Elecsuper TO-220 сквозной (THT)MOSFETN— 850 28,77 ₽
ES15N10Gарт. 121910 ES15N10G Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 12 А, 85 мОм, TO-252 (DPAK) Elecsuper TO-252 (DPAK) поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 2500 шт. 1800 6,77 ₽
ES138Kарт. 121909 ES138K Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.4 А, 1.5 Ом, SOT-23 Elecsuper SOT-23 поверхностный (SMT)MOSFETNREEL, 3000 шт. 11000 0,70 ₽
IRLB8743PBFарт. 121903 IRLB8743PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 140 А, 2.1 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETN— под заказ 31,00 ₽
IRFZ46Nарт. 121902 IRFZ46N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 53 А, 12 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETN— 940 34,56 ₽
IRFPE50арт. 121901 IRFPE50 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 800 В, 7.8 А, 1.2 Ом, TO-247 JSMSEMI TO-247AC сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 30 шт. 181 120,54 ₽
IRF4905арт. 121900 IRF4905 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -50 А, 28 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETP— 55 40,94 ₽
IRF1404Zарт. 121899 IRF1404Z JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 230 А, 2.3 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETN— под заказ 29,68 ₽
IRF1010Eарт. 121898 IRF1010E JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 7.5 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETN— 940 35,29 ₽
FQP50N06арт. 121897 FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220 JSMSEMI TO-220 сквозной (THT)MOSFETNTUBE, 50 шт. под заказ 26,34 ₽

На странице: 2550100