Транзисторы
Найдено: 1795 · показаны 1151–1200
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Тип монтажа | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TEMT6200FX01арт. 122868 | Транзистор TEMT6200FX01 | VISHAY | — | — | — | — | — | под заказ | 32,96 ₽ | ||
| AO4606арт. 122836 | AO4606 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 7.5 А / -4.6 А, 22 мОм, 5.2 нКл, SOP-8 | Elecsuper | SOP-8 | MOSFET | N+P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 2699 | 5,76 ₽ | ||
| BSS138BKSарт. 122830 | BSS138BKS Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N+N, 60 В, 0.41 А, 1.9 Ом, 0.65 нКл, SOT-363 | Elecsuper | SOT-363 | MOSFET | N+N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 13197 | 1,82 ₽ | ||
| BSS138NH6327арт. 122829 | BSS138NH6327 полевой транзистор (MOSFET), N-канал, SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 9800 | 0,82 ₽ | ||
| SI2308Aарт. 122819 | SI2308A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 2.5 А, 85 Ом, 2.1 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 12000 | 2,16 ₽ | ||
| IRLML0030арт. 122818 | IRLML0030 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 55 мОм, 10 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 9500 | 1,01 ₽ | ||
| BSS169H6327арт. 122817 | BSS169H6327 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 29000 | 0,83 ₽ | ||
| SI2333арт. 122815 | SI2333 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -6.5 А, 28 Ом, 7.8 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 8850 | 3,05 ₽ | ||
| SI2323арт. 122813 | SI2323 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -5 А, 45 Ом, 10.2 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 4500 | 1,96 ₽ | ||
| IRFB4115арт. 122812 | IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220 | HXY | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 533 | 56,51 ₽ | ||
| IRFZ44NSарт. 122811 | IRFZ44NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 49 А, 13 мОм, 63 нКл, TO-263 (D2PAK) | HXY | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | поверхностный (SMT) | 1164 | 21,87 ₽ | ||
| SI2309Aарт. 122810 | SI2309A HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -1.6 А, 160 Ом, 11.3 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 2,71 ₽ | ||
| SI2300арт. 122809 | SI2300 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6 А, 27 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 23500 | 0,98 ₽ | ||
| SI2319арт. 122808 | SI2319 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -40 В, -5 А, 85 Ом, 14 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 15850 | 2,07 ₽ | ||
| BSS123 (HXY)арт. 122807 | BSS123 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 3000 | 0,94 ₽ | ||
| IRLML0100арт. 122806 | IRLML0100TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 3 А, 248 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 17300 | 1,60 ₽ | ||
| IRF9Z34NPBFарт. 122729 | IRF9Z34NPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 19А, 68Вт, корпус TO-220-3 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET | P | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 2900 | 26,12 ₽ | ||
| IRFB4110PBFарт. 122728 | IRFB4110PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 120А, корпус TO- 220AB | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 51,20 ₽ | ||
| IRF830PBFарт. 122727 | IRF830PBF, полевой N-канальный транзистор VISHAY, 500В, 4.5А, 74Вт, корпус TO-220-3 | VISHAY | TO-220 | MOSFET | N | 50 | сквозной (THT) | 5008 | 46,16 ₽ | ||
| BSC110N15NS5ATMA1арт. 122674 | Транзистор BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 170,67 ₽ | ||
| MMBTA92LT1Gарт. 122564 | Транзистор MMBTA92LT1G | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | 37 | 2,60 ₽ | ||
| TIP36C (RP)арт. 122536 | TIP36C ST биполярный транзистор PNP, -100 В, -25 А, TO-3P | BlueRoc | TO-3P | — | PNP | TUBE, 30 шт. | — | 210 | 78,82 ₽ | ||
| TIP35C (RP)арт. 122535 | TIP35C ST биполярный транзистор NPN, 100 В, 25 А, TO-3P | BlueRoc | TO-3P | — | NPN | TUBE, 30 шт. | — | 400 | 78,82 ₽ | ||
| 2SB817арт. 122534 | 2SB817 Blue Rocket биполярный транзистор PNP, -130 В, -12 А, TO-3PN | BlueRoc | TO-3P | Биполярный транзистор | PNP | TUBE, 30 шт. | — | 390 | 70,39 ₽ | ||
| IRFS7730TRL7PPарт. 122505 | Транзистор IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 204,59 ₽ | ||
| IPB010N06NATMA1арт. 122177 | IPB010N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 180A, корпус TO-263-7(D2PAK) | Infineon Technologies | TO-263-7 (D2PAK) | — | — | REEL, 1000 шт. | поверхностный (SMT) | 280 | 516,22 ₽ | ||
| IRF7316TRPBFарт. 122170 | IRF7316TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30В, 4.9А, 2.0Вт, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET | 2P | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | 1620 | 31,77 ₽ | ||
| IRF7314TRPBFарт. 122169 | IRF7314TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 5.3А, 2.0Вт, 0.058 Ом, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET | P | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | 1 | 50,41 ₽ | ||
| SI7469DP-T1-E3арт. 122156 | SI7469DP-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный Vishay, -80 В, -28 А, 5.2Вт , корпус PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free) | VISHAY | PowerPAK SO-8 | MOSFET | P | 3000 | поверхностный (SMT) | 430 | 138,34 ₽ | ||
| IRF7815TRPBFарт. 122155 | IRF7815TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 5,1A, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET | N | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | 410 | 80,93 ₽ | ||
| IRF8910TRPBFарт. 122154 | IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET | 2N | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | 1880 | 51,04 ₽ | ||
| SIHG20N50C-E3арт. 122153 | SIHG20N50C-E3, Транзистор полевой N-канальный Vishay Siliconix, 500В, 20A, 250Вт, корпус TO-247-3 | VISHAY | TO-247 | MOSFET | N | TUBE, 25 шт. | сквозной (THT) | 210 | 123,90 ₽ | ||
| 2N6036Gарт. 122138 | Транзистор 2N6036G | ON Semiconductor | — | Биполярный транзистор | — | — | — | под заказ | 93,00 ₽ | ||
| 2SK2394-6-TB-Eарт. 122126 | Транзистор 2SK2394-6-TB-E | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 205,02 ₽ | ||
| IKP40N65H5XKSA1арт. 122118 | IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3 | Infineon Technologies | TO-220 | IGBT | — | 50 | — | 120 | 392,51 ₽ | ||
| 2N7002,215арт. 122107 | 2N7002,215 , Полевой N-канальный транзистор Nexperia USA Inc., 60В, 300мА, 0.83Вт, корпус SOT-23-3 | NEXPERIA | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 1,78 ₽ | ||
| BSZ440N10NS3Gарт. 122060 | Транзистор BSZ440N10NS3G | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 63,42 ₽ | ||
| MMBT4403арт. 122030 | MMBT4403 CTK Биполярный транзистор PNP, -40 В, -0,6 А, SOT-23 | CTK | SOT-23 | — | PNP | REEL, 3000 шт. | — | 59000 | 0,70 ₽ | ||
| MMBT4401арт. 122029 | MMBT4401 CTK биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, SOT-23 | CTK | SOT-23 | — | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 93500 | 0,89 ₽ | ||
| MMBT3906арт. 122028 | MMBT3906 CTK Биполярный транзистор PNP, -40 В, -0,2 А, SOT-23 | CTK | SOT-23 | — | PNP | REEL, 3000 шт. | — | 39000 | 0,37 ₽ | ||
| IRF7351TRPBFарт. 122024 | IRF7351TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 60В, 8А, 2.0Вт, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | SO-8 | MOSFET | 2N | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 50,12 ₽ | ||
| 2N3055арт. 122007 | 2N3055 JSMSEMI биполярный транзистор NPN, 100 В, 15 А, TO-3 | JSMSEMI | TO-3 | Биполярный транзистор | NPN | — | — | 345 | 76,69 ₽ | ||
| 2SA1492арт. 122006 | 2SA1492 JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -180 В, -15 А, TO-3PN | JSMSEMI | TO-3PN | Биполярный транзистор | PNP | TUBE, 30 шт. | — | 530 | 54,68 ₽ | ||
| BDW93CFPарт. 122005 | BDW93CFP JSMSEMI составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 12 А, TO-220F | JSMSEMI | TO-220F | Составной транзистор (Дарлингтона) | NPN | 50 | — | 255 | 25,94 ₽ | ||
| NDT2955арт. 122004 | NDT2955 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -3 А, 150 мОм, SOT-223 | JSMSEMI | SOT-223 | MOSFET | P | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 19,08 ₽ | ||
| IRLML5203TRPBFарт. 121996 | IRLML5203TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 30В, 3А ,1,25Вт, корпус SOT-23-3 | Infineon Technologies | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 1 | 9,25 ₽ | ||
| IRFP450арт. 121994 | IRFP450 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 14 А, TO-247AC | HXY | TO-247AC | MOSFET | N | 25 | сквозной (THT) | 410 | 90,72 ₽ | ||
| 7N65арт. 121993 | 7N65 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.2 Ом, TO-220F | HXY | TO-220F | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 580 | 17,18 ₽ | ||
| IRFR024арт. 121992 | IRFR024NTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2750 | 11,18 ₽ | ||
| BSS83PH6327арт. 121991 | BSS83PH6327 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -60 В, -2 А, 160 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 14500 | 7,93 ₽ |
