Транзисторы
Найдено: 1795 · показаны 1301–1350
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Тип монтажа | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86101DCарт. 121412 | Транзистор FDMS86101DC | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 291,46 ₽ | ||
| BSS138PS,115арт. 121360 | Транзистор BSS138PS,115 | NEXPERIA | — | — | — | — | — | под заказ | 6,69 ₽ | ||
| BSS84AKS,115арт. 121359 | Транзистор BSS84AKS,115 | NEXPERIA | — | — | — | — | — | под заказ | 6,69 ₽ | ||
| AUIRFS8409-7TRLарт. 121325 | Транзистор AUIRFS8409-7TRL | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 1 288,86 ₽ | ||
| MMBTA42LT1Gарт. 121311 | MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор ON Semiconductor, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, корпус SOT-23-3 | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | 24515 | 2,68 ₽ | ||
| BCP56-16T1Gарт. 121306 | BCP56-16T1G, Биполярный транзистор ON Semiconductor, NPN, 80В,1А,1.5Вт, корпус SOT- 223(TO-261) | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 10,86 ₽ | ||
| BCP53-16T1Gарт. 121296 | BCP53-16T1G, Транзистор биполярный PNP ON Semiconductor, 80В, 1А, корпус SOT-223 | ON Semiconductor | SOT-223 | — | PNP | REEL, 1000 шт. | — | под заказ | 10,07 ₽ | ||
| WML36N60F2арт. 121213 | Транзистор WML36N60F2 | WAYON | — | MOSFET | — | — | — | 812 | 86,39 ₽ | ||
| IRFD320PBFарт. 121164 | IRFD320PBF, Полевой N-канальный транзистор, 400В, 0.6А, 1.3Вт, 1.8 Ом, корпус DIP-4 | VISHAY | HVM DIP-4 | MOSFET | N | TUBE, 100 шт. | сквозной (THT) | 620 | 76,15 ₽ | ||
| SI2312BDS-T1-E3арт. 121161 | SI2312BDS-T1-E3, Транзистор полевой N-канальный VISHAY, 20В, 3.9A, корпус SOT-23-3 | VISHAY | — | MOSFET | N | — | — | 35 | 19,34 ₽ | ||
| IRF710PBFарт. 121141 | IRF710PBF, Транзистор полевой VISHAY, N-канальный, 400В, 2А, 36Вт, корпус TO-220-3 | VISHAY | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 620 | 58,91 ₽ | ||
| IRFL014NTRPBFарт. 121140 | IRFL014NTRPBF, Транзистор N-канальный Infineon Technologies, 55В, 1.9А, корпус SOT-223 | Infineon Technologies | SOT-223 | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 1600 | 35,29 ₽ | ||
| IRFL9014TRPBFарт. 121139 | IRFL9014TRPBF, Транзистор полевой P-канальный VISHAY, 60В, 1.8А, 2Вт, корпус SOT-223 | VISHAY | SOT-223 | MOSFET | P | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 350 | 38,75 ₽ | ||
| SUM110P06-07L-E3арт. 121129 | SUM110P06-07L-E3, Полевой P-канальный транзистор VISHAY, 60В, 110A, корпус TO-263-3 (D2PAK) | VISHAY | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | P | REEL, 800 шт. | поверхностный (SMT) | 584 | 212,52 ₽ | ||
| IRFBG30PBFарт. 121127 | IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3 | VISHAY | TO-220AB | MOSFET | N | TUBE, 1000 шт. | сквозной (THT) | 1000 | 83,35 ₽ | ||
| IRFP360PBFарт. 121126 | IRFP360PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 400В, 23А, 280Вт, 0.2 Ом, корпус TO-247AC | VISHAY | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 25 шт. | сквозной (THT) | 405 | 210,50 ₽ | ||
| IRFP460LCPBFарт. 121125 | IRFP460LCPBF, Транзистор полевой VISHAY, N-канальный, 500В, 20А, 280Вт, корпус TO-247-3 | VISHAY | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 25 шт. | сквозной (THT) | 200 | 289,80 ₽ | ||
| 20N06арт. 121054 | 20N06 KUU полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, 38 мОм, TO-252 (DPAK) | KUU | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 425 | 8,87 ₽ | ||
| 30N06арт. 121053 | 30N06 KUU полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, 35 мОм TO-252 (DPAK) | KUU | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 1000 | 8,87 ₽ | ||
| MMBTA56арт. 121052 | MMBTA56 Yongyutai биполярный транзистор PNP, -80 В, 0,5 А, SOT-23 | YONGYUTAI | SOT-23 | — | PNP | REEL, 3000 шт. | — | 28000 | 1,02 ₽ | ||
| IRLD110PBFарт. 121046 | Транзистор IRLD110PBF | VISHAY | — | — | — | — | — | под заказ | 105,69 ₽ | ||
| STW70N60M2арт. 120997 | Транзистор STW70N60M2 | ST Microelectronics | TO-247 | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 774,09 ₽ | ||
| PBHV9115X,115арт. 120956 | Транзистор PBHV9115X,115 | NXP | — | — | — | — | — | под заказ | 23,62 ₽ | ||
| 2SK2232арт. 120948 | Транзистор 2SK2232 | VBSEMI | — | — | — | — | — | под заказ | 28,99 ₽ | ||
| NVHL020N090SC1арт. 120926 | Транзистор NVHL020N090SC1 | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 7 388,11 ₽ | ||
| SPW35N60C3арт. 120910 | Транзистор SPW35N60C3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 570,90 ₽ | ||
| SI7172DP-T1-GE3-Zарт. 120863 | Транзистор SI7172DP-T1-GE3-Z | VISHAY | — | MOSFET | — | — | — | под заказ | 297,11 ₽ | ||
| XL3528PTTарт. 120859 | Транзистор XL3528PTT | XINGLIGT | — | — | — | — | — | под заказ | 11,53 ₽ | ||
| 2N7002Wарт. 120852 | 2N7002W CJ полевой транзистор (MOSFET) N-канал 60 В, 0.15 А, SOT-323 | CJ | SOT-323 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 1500 | 1,77 ₽ | ||
| MJD117арт. 120851 | MJD117 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) PNP -100 В, -2 А, TO-252 (DPAK) | CJ | TO-252 (DPAK) | — | PNP | REEL, 2500 шт. | — | 1550 | 9,89 ₽ | ||
| STP20NM60FDарт. 120843 | Транзистор STP20NM60FD | ST Microelectronics | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 312,93 ₽ | ||
| STD7NM80арт. 120842 | STD7NM80, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 800В, 6.5А, 90Вт, корпус TO- 252-3(DPak) | ST Microelectronics | — | — | — | — | — | 2370 | 144,50 ₽ | ||
| PBSS8510PA,115арт. 120841 | Транзистор PBSS8510PA,115 | NXP | — | — | — | — | — | под заказ | 38,19 ₽ | ||
| MSD42WT1Gарт. 120840 | Транзистор MSD42WT1G | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 11,20 ₽ | ||
| FDMS86200DCарт. 120839 | Транзистор FDMS86200DC | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 3 103,05 ₽ | ||
| FDMA86265Pарт. 120838 | Транзистор FDMA86265P | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 116,94 ₽ | ||
| EPC2019арт. 120837 | Транзистор EPC2019 | EPC | — | — | — | — | — | под заказ | 401,00 ₽ | ||
| BSC500N20NS3GATMA1арт. 120836 | Транзистор BSC500N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 551,75 ₽ | ||
| BSC098N10NS5ATMA1арт. 120835 | Транзистор BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 140,00 ₽ | ||
| BSC070N10NS5ATMA1арт. 120834 | Транзистор BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 136,70 ₽ | ||
| BSC039N06NSATMA1арт. 120833 | Транзистор BSC039N06NSATMA1 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 116,29 ₽ | ||
| IRFB4110арт. 120816 | IRFB4110PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 180 А, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 536 | 82,56 ₽ | ||
| 2SC4793арт. 120815 | 2SC4793 JSMSEMI биполярный транзистор NPN, 230 В, 1 А, TO-220F | JSMSEMI | TO-220F | Биполярный транзистор | NPN | TUBE, 50 шт. | — | 1025 | 19,11 ₽ | ||
| MJE340Gарт. 120814 | MJE340G JSMSEMI биполярный транзистор NPN, 300 В, 0.5 А, TO-126 | JSMSEMI | TO-126 | — | NPN | 500 | — | 2450 | 21,69 ₽ | ||
| MJE350Gарт. 120813 | MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126 | JSMSEMI | TO-126 | — | PNP | 500 | — | 450 | 22,33 ₽ | ||
| AO4407Aарт. 120810 | AO4407A Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) P-канал -30 В, -12 А, SOP-8 | Elecsuper | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 3000 | 8,28 ₽ | ||
| AO4435арт. 120809 | AO4435 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -10,5 А, SOP-8 | Elecsuper | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 4100 | 5,19 ₽ | ||
| FDN338Pарт. 120790 | FDN338P JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23 | JSMSEMI | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 8300 | 3,90 ₽ | ||
| IRF9Z34Nарт. 120789 | IRF9Z34N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -20 А, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | P | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 740 | 21,01 ₽ | ||
| IRFP064Nарт. 120788 | IRFP064N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 110 А, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 727 | 82,85 ₽ |
