Транзисторы
Найдено: 1795 · показаны 801–850
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Тип монтажа | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB33N60DM2арт. 129696 | STB33N60DM2, ST Microelectronics, MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package | ST Microelectronics | — | — | — | — | — | под заказ | 230,21 ₽ | ||
| FDP045N10A-F102арт. 129695 | FDP045N10A-F102, ON Semiconductor, Полевые МОП-транзисторы PowerTrench, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Through Hole | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 99,76 ₽ | ||
| IPA80R1K0CEарт. 129694 | IPA80R1K0CEXKSA2, Infineon Technologies, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 46,04 ₽ | ||
| TK40E10N1,S1X(Sарт. 129693 | TK40E10N1,S1X(S, TOSHIBA, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0068 ohm, TO-220, Through Hole | TOSHIBA | — | — | — | — | — | под заказ | 53,72 ₽ | ||
| TK1R4F04PB,LQ(Oарт. 129692 | TK1R4F04PB,LQ(O, TOSHIBA, Транзистор MOSFET одиночный | TOSHIBA | — | — | — | — | — | под заказ | 153,48 ₽ | ||
| STP8N80K5арт. 129691 | STP8N80K5, ST Microelectronics, MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 | ST Microelectronics | — | — | — | — | — | под заказ | 61,39 ₽ | ||
| IKW75N65EH5XKSA1арт. 129609 | IKW75N65EH5XKSA1, IGBT транзистор , 650В, 90А, 395Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 218,40 ₽ | ||
| IRFPE40PBFарт. 129398 | Транзистор IRFPE40PBF | JSMSEMI | TO-247 | MOSFET | N | — | сквозной (THT) | 390 | 117,58 ₽ | ||
| WMB018N04LG2арт. 128980 | Транзистор | WAYON | — | — | — | — | — | 4920 | 28,64 ₽ | ||
| MMBFJ309LT1Gарт. 127857 | Транзистор N-JFET 25В 30мА 0.225 Вт [SOT-23-3] | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 10,37 ₽ | ||
| SI2305арт. 127699 | SI2305 Yongyutai полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -3.9 А, 65 мОм, SOT-23 | YONGYUTAI | SOT-23 | MOSFET | P | — | поверхностный (SMT) | 11100 | 2,23 ₽ | ||
| MMBT3904 (YONGYUTAI)арт. 127698 | MMBT3904 YONGYUTAI Биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.2 А, SOT-23 | YONGYUTAI | SOT-23 | — | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 31000 | 0,35 ₽ | ||
| AO4430арт. 127581 | AO4430 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 13 А, 12 мОм, 11 нКл, SOP-8 | Elecsuper | SOP-8 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 2600 | 4,31 ₽ | ||
| IRFR1205TRPBF (Elecsuper)арт. 127579 | IRFR1205TRPBF Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 28 А, 33 мОм, TO-252 (DPAK) | Elecsuper | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 100 | 12,92 ₽ | ||
| FQT7N10LTFарт. 127578 | FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223 | ON Semiconductor | SOT-223 | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 950 | 14,36 ₽ | ||
| FQT7N10LTFарт. 127578 | FQT7N10LTF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 4 А, 150 мОм, SOT-223 | Elecsuper | SOT-223 | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | — | ||
| AOD536арт. 127577 | AOD536 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 39 А, 15 нКл, TO-252 (DPAK) | Elecsuper | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2300 | 8,60 ₽ | ||
| IRFR024NTRPBF (Elecsuper)арт. 127576 | IRFR024NTRPBF Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, TO-252 (DPAK) | Elecsuper | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 8,60 ₽ | ||
| ES50N06арт. 127572 | ES50N06 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, TO-252 (DPAK) | Elecsuper | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 1400 | 4,31 ₽ | ||
| BSS308PEарт. 127567 | BSS308PEH6327 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -3.8 А, 60 Ом, 6.5 нКл, SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 7200 | 2,29 ₽ | ||
| IRFB5615арт. 127495 | IRFB5615PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 40 А, 40 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 1570 | 44,24 ₽ | ||
| STD60NF06T4арт. 127494 | STD60NF06T4 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 68 А, 10 мОм, 17.9 нКл, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 1375 | 29,16 ₽ | ||
| TIP36Cарт. 127483 | TIP36C JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -100 В, -25 А, TO-3P | JSMSEMI | TO-247 | — | PNP | TUBE, 30 шт. | — | под заказ | 61,35 ₽ | ||
| STP65NF06арт. 127482 | STP65NF06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 110 А, 6 мОм, TO-220 | ST Microelectronics | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 340 | 58,00 ₽ | ||
| IRLR2908арт. 127477 | IRLR2908TRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 45 А, 20 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 1110 | 38,04 ₽ | ||
| IRFR3411арт. 127476 | IRFR3411PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 36 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO- 252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2325 | 38,04 ₽ | ||
| IRFR110арт. 127475 | IRFR110TR JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 100 мОм, 24 нКл, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2450 | 22,83 ₽ | ||
| FQD19N10TMарт. 127474 | FQD19N10TM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 19 А, 60 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2350 | 22,83 ₽ | ||
| STD15NF10арт. 127470 | STD15NF10 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 39 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO- 252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2340 | 38,04 ₽ | ||
| MJD45H11T4Gарт. 127469 | MJD45H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -80 В, -8 А, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | — | PNP | REEL, 2500 шт. | — | 836 | 21,55 ₽ | ||
| MJD44H11T4Gарт. 127467 | MJD44H11T4G JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 80 В, 8 А, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | — | NPN | REEL, 2500 шт. | — | 2400 | 18,78 ₽ | ||
| MJD42Cарт. 127466 | MJD42CRLG JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -100 В, -6 А, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | — | PNP | REEL, 2500 шт. | — | 2350 | 15,30 ₽ | ||
| FDS4435BZарт. 127465 | FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-8 | JSMSEMI | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 2100 | 10,14 ₽ | ||
| BC847BWарт. 127369 | BC847BW SLKOR Биполярный транзистор NPN, 45 В, 0.1 А, SOT-323 | SLKOR | SOT-323 | — | NPN | — | — | 59500 | 0,99 ₽ | ||
| FDD6637 UMWарт. 127342 | FDD6637 UMW , Полевой P-канальный транзистор, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK(TO-252AA) | UMW Youtai Semiconductor | TO-252 (DPAK) | — | — | — | поверхностный (SMT) | 1790 | 20,41 ₽ | ||
| BSS138LT1Gарт. 127313 | BSS138LT1G,Транзистор полевой ON Semiconductor, N-канальный, 50В, 0.2А, 0.36Вт, 3.5 Ом, корпус SOT-23-3 | ON Semiconductor | — | — | — | — | поверхностный (SMT) | 23614 | 3,40 ₽ | ||
| BC846BLT1Gарт. 127282 | BC846BLT1G, Биполярный транзистор ON Semiconductor, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт, корпус SOT-23-3 | ON Semiconductor | SOT-23 | — | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 82002 | 1,72 ₽ | ||
| FDD6637арт. 127277 | FDD6637, Полевой P-канальный транзистор ON Semiconductor, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK (TO-252AA) | ON Semiconductor | TO-252 (DPAK) | MOSFET | P | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 3000 | 61,02 ₽ | ||
| SGT50T65FD1PNарт. 127248 | Транзистор SGT50T65FD1PN | SILAN | — | — | — | — | — | 1200 | 87,93 ₽ | ||
| NE6510179A-T1арт. 127209 | Транзистор NE6510179A-T1 | NEC | — | — | — | — | — | под заказ | 400,79 ₽ | ||
| IRF840APBFарт. 127143 | IRF840APBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB | VISHAY | TO-220AB | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 58,93 ₽ | ||
| BSS138PWарт. 127128 | BSS138PW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 2.2 Ом, SOT-323 | Elecsuper | SOT-323 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 264 | 1,09 ₽ | ||
| IRFR1018Eарт. 127114 | IRFR1018EPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2360 | 36,99 ₽ | ||
| 20N50арт. 127113 | 20N50 HXY полевой транзистор (MOSFET) , N-канал, 500 В, 20 А, 300 мОм, 63 нКл, TO-220F | HXY | TO-220F | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 67,14 ₽ | ||
| IRLZ44Nарт. 127112 | IRLZ44NPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 60 А, 20 мОм, TO-220 | HXY | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 28,73 ₽ | ||
| IRF9358арт. 127111 | IRF9358 HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), P+P канал, -30 В, -11 А, 18 мОм, 22 нКл, SOP-8 | HXY | SO-8 | MOSFET | 2P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 2660 | 24,12 ₽ | ||
| FDD8447Lарт. 127109 | FDD8447L HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 60 А, 8.5 мОм, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 375 | 23,30 ₽ | ||
| AO3400 (HXY)арт. 127107 | AO3400 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 12000 | 2,07 ₽ | ||
| IRFP9240арт. 126981 | IRFP9240PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -12 А, 420 мОм, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247 | MOSFET | P | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 410 | 125,57 ₽ | ||
| STB11NK40Zарт. 126980 | STB11NK40ZT4 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 550 мОм, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) | JSMSEMI | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | N | REEL, 1600 шт. | поверхностный (SMT) | 1430 | 49,87 ₽ |
