Транзисторы
Найдено: 1795 · показаны 901–950
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Тип монтажа | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7241TRPBFарт. 126190 | IRF7241TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 40В, 6.2А, 2.5Вт, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 55,95 ₽ | ||
| IRF640NSTRLPBFарт. 126189 | IRF640NSTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 18А, 150Вт, корпус D2Pak (TO-263) | Infineon Technologies | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | N | REEL, 800 шт. | поверхностный (SMT) | 763 | 42,83 ₽ | ||
| IRF7820TRPBFарт. 126186 | IRF7820TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 3.7A, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 3790 | 76,46 ₽ | ||
| IRF7425TRPBFарт. 126185 | IRF7425TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 20В,15A, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 620 | 73,41 ₽ | ||
| IRF3415PBFарт. 126184 | IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корпус TO-220-3 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 980 | 83,35 ₽ | ||
| IRFB260NPBFарт. 126183 | IRFB260NPBF | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 950 | 115,29 ₽ | ||
| IRF7413ZTRPBFарт. 126180 | IRF7413ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В,13A, 2.5Вт, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 38,53 ₽ | ||
| IRF7104TRPBFарт. 126179 | IRF7104TRPBF, Сборка полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 2.3А, 2Вт, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 3925 | 37,42 ₽ | ||
| IKW50N60H3FKSA1арт. 126158 | IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | — | TUBE, 30 шт. | — | 150 | 259,35 ₽ | ||
| BSS83PH6327XTSA1арт. 126156 | BSS83PH6327XTSA1, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.33А, 0.36Вт, 2.0 Ом, корпус SOT-23-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | поверхностный (SMT) | 5250 | 8,39 ₽ | ||
| IPT007N06NATMA1арт. 126152 | IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8 | Infineon Technologies | HSOF-8 | MOSFET | N | REEL, 200 шт. | поверхностный (SMT) | 165 | 260,19 ₽ | ||
| IPW60R080P7XKSA1арт. 126151 | IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 37A, 129Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 158 | 559,65 ₽ | ||
| IPW60R099C6FKSA1арт. 126150 | IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 37.9A, 278Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 10 | 463,39 ₽ | ||
| IPW60R060P7XKSA1арт. 126149 | IPW60R060P7XKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 600В, 48A, 164Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | MOSFET | — | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 205,98 ₽ | ||
| IKW40N120T2FKSA1арт. 126147 | IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 90 | 328,50 ₽ | ||
| FF300R12KS4HOSA1арт. 126144 | FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm | Infineon Technologies | 62 мм | IGBT модуль | — | TRAY, 10 шт. | — | 20 | 13 167,56 ₽ | ||
| FF200R12KT4HOSA1арт. 126143 | FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm | Infineon Technologies | 62 мм | IGBT модуль | — | TRAY, 10 шт. | — | под заказ | 5 980,00 ₽ | ||
| IKW40N120H3FKSA1арт. 126140 | IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | — | TUBE, 30 шт. | — | под заказ | 244,90 ₽ | ||
| BSS84PH6327XTSA2арт. 126139 | BSS84PH6327XTSA2, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А, 0.36Вт, 8.0 Ом, корпус SOT-23-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 28750 | 4,51 ₽ | ||
| IPP110N20N3GXKSA1арт. 126137 | IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 310,00 ₽ | ||
| IPW60R041C6FKSA1арт. 126136 | IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5A, 481Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 18 | 600,61 ₽ | ||
| IPD65R400CEAUMA1арт. 126134 | IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK) | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 587 | 80,50 ₽ | ||
| PBSS5350T,215арт. 125938 | PBSS5350T,215 , Биполярный PNP транзистор NEXPERIA, 50 В, 2 А, 0.54 Вт, корпус SOT-23-3 | NEXPERIA | SOT-23 | — | PNP | REEL, 3000 шт. | — | под заказ | 7,32 ₽ | ||
| PDTC123ET,215арт. 125937 | PDTC123ET,215 , Цифровой биполярный транзистор NEXPERIA, NPN, 50В, 0.1А, 0.25Вт, 2.2кОм +2.2кОм, корпус SOT-23-3 | NEXPERIA | — | Цифровой биполярный транзистор | — | — | — | под заказ | 2,09 ₽ | ||
| PMV65XP,215арт. 125934 | PMV65XP,215 , Полевой P-канальный транзистор NEXPERIA, 20В, 2.8A, 480мВт, корпус SOT-23-3 | NEXPERIA | — | — | — | — | — | под заказ | 4,42 ₽ | ||
| PDTC143ET,215арт. 125917 | PDTC143ET,215 , Цифровой биполярный транзистор NEXPERIA, NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм, корпус SOT-23-3 | NEXPERIA | SOT-23 | Цифровой биполярный транзистор | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 60000 | 1,62 ₽ | ||
| PDTC114ET,215арт. 125909 | PDTC114ET,215 , Цифровой биполярный транзистор NEXPERIA, NPN, 50В, 0.1А, 0.25Вт, 230МГц, 10кОм+10кОм, корпус SOT-23-3 | NEXPERIA | — | Цифровой биполярный транзистор | — | — | — | под заказ | 1,01 ₽ | ||
| IRF6727MTRPBFарт. 125599 | Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX] | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 114,01 ₽ | ||
| IRFP4868арт. 125442 | IRFP4868PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 300 В, 80 А, 35 мОм, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 375 | 201,57 ₽ | ||
| MJL1302AGарт. 125440 | Транзистор MJL1302AG | JSMSEMI | — | — | — | — | — | 125 | 120,71 ₽ | ||
| MJL3281AGарт. 125439 | Транзистор MJL3281AG | JSMSEMI | — | — | — | — | — | 345 | 155,44 ₽ | ||
| IRFP4332арт. 125438 | IRFP4332PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 250 В, 70 А, 45 мОм, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 510 | 159,52 ₽ | ||
| MJ15025арт. 125437 | Транзистор MJ15025 | JSMSEMI | TO-3 | — | PNP | — | — | 350 | 102,49 ₽ | ||
| IRFB4321арт. 125436 | IRFB4321PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 50 А, 50 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 920 | 94,50 ₽ | ||
| MJ15023арт. 125435 | Транзистор MJ15023 | JSMSEMI | TO-3 | — | PNP | 500 | — | 325 | 82,00 ₽ | ||
| IRFP3306арт. 125434 | IRFP3306PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 6 мОм, 115 нКл, TO- 247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 760 | 70,61 ₽ | ||
| IRFP1405арт. 125433 | IRFP1405PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 100 А, 5 мОм, 115 нКл, TO- 247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 585 | 89,58 ₽ | ||
| IRFP054Nарт. 125432 | IRFP054NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 100 А, 6 мОм, 115 нКл, TO- 247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 420 | 89,58 ₽ | ||
| IRF3415арт. 125431 | IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 290 | 60,35 ₽ | ||
| 2SC5200арт. 125430 | Транзистор 2SC5200 | JSMSEMI | TO-3P(L) | Биполярный транзистор | NPN | — | — | под заказ | 60,35 ₽ | ||
| IRF5210арт. 125429 | IRF5210PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -40 А, 55 мОм, 180 нКл, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | P | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 930 | 69,76 ₽ | ||
| IRFB3206арт. 125428 | IRFB3206NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 5 мОм, 115 нКл, TO- 220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 54,88 ₽ | ||
| IRF3710Sарт. 125427 | IRF3710STRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 60 А, 17.5 мОм, 146 нКл, TO-263 (D2PAK) | JSMSEMI | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | N | REEL, 800 шт. | поверхностный (SMT) | 1380 | 44,41 ₽ | ||
| IRF3205Zарт. 125426 | IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 1720 | 49,57 ₽ | ||
| IRF9630арт. 125425 | IRF9630PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -10 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | P | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 750 | 30,29 ₽ | ||
| IRF9Z34NSарт. 125424 | IRF9Z34NSTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-263 (D2PAK) | JSMSEMI | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | P | REEL, 800 шт. | поверхностный (SMT) | 1060 | 30,29 ₽ | ||
| IRF9640арт. 125423 | IRF9640PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -15 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO- 220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | P | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 5 | 30,29 ₽ | ||
| STP60NF06арт. 125422 | STP60NF06FP JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 60 А, 22 мОм, TO-220F | JSMSEMI | TO-220F | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 520 | 34,70 ₽ | ||
| IRF5305арт. 125421 | IRF5305PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -35 А, 55 мОм, 40 нКл, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | P | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 1050 | 35,84 ₽ | ||
| IRF640N (JSMSEMI)арт. 125420 | IRF640NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 18 А, 0.15 Ом, 38 нКл, TO- 220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 626 | 25,78 ₽ |
