Транзисторы
Найдено: 1795 · показаны 1001–1050
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Тип монтажа | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML9303арт. 124784 | IRLML9303TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -4.1 А, 56 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 30000 | 3,71 ₽ | ||
| BSS316Nарт. 124783 | BSS316N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | — | поверхностный (SMT) | 9000 | 4,72 ₽ | ||
| HXY20N03Dарт. 124782 | HXY20N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 20 А, 25 мОм, 4.9 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 3200 | 5,67 ₽ | ||
| HXY60N02Dарт. 124781 | HXY60N02D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 60 А, 6 мОм, 27 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2298 | 6,75 ₽ | ||
| FDN357Nарт. 124780 | FDN357N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 9000 | 5,81 ₽ | ||
| FDN5618Pарт. 124779 | FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 8100 | 6,48 ₽ | ||
| BSS806арт. 124778 | BSS806NEH6327 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 3 А, 60 Ом, 5 нКл, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 5800 | 7,02 ₽ | ||
| IRLR3636арт. 124777 | IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2350 | 35,00 ₽ | ||
| IHW30N135R5арт. 124700 | Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3.]((H30PR5) | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 189,06 ₽ | ||
| S9013арт. 124639 | S9013, биполярный транзистор AM NPN, 25 В, 0.5 А, корпус SOT-23 | AM | SOT-23 | — | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 30000 | 0,79 ₽ | ||
| YJL3401Aарт. 124532 | YJL3401A, полевой транзистор для поверхностного монтажа Elecsuper, P-канал, -30 В, -4.2 А, 60 мОм, SOT-23 (MOSFET) | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 29250 | 1,70 ₽ | ||
| IRLML6401 (Elecsuper)арт. 124529 | IRLML6401TRPBF Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -12 В, -3.8 А, 36 мОм, SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 31000 | 1,82 ₽ | ||
| 2N7002DWH6327арт. 124528 | 2N7002DWH6327, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N+N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, 2 нКл, корпус SOT-363 | Elecsuper | SOT-363 | MOSFET | N+N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 11250 | 3,20 ₽ | ||
| BSS138BKWарт. 124525 | BSS138BKW Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, SOT-323 | Elecsuper | SOT-323 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 21500 | 1,37 ₽ | ||
| BSS138Wарт. 124524 | BSS138W Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 60 В, 0.36 А, 1.9 Ом, 1 нКл, SOT-323 | Elecsuper | — | MOSFET | N | — | поверхностный (SMT) | 58000 | 1,02 ₽ | ||
| FDV301N (Elecsuper)арт. 124522 | FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 12500 | 1,81 ₽ | ||
| FDV303Nарт. 124521 | FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 1500 | 1,27 ₽ | ||
| 2N7002BKарт. 124520 | 2N7002BK, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, корпус SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 22000 | 0,73 ₽ | ||
| 2N7002ET1Gарт. 124519 | 2N7002ET1G, полевой транзистор (MOSFET) Elecsuper, N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, корпус SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 14750 | 1,45 ₽ | ||
| NX7002AKарт. 124518 | NX7002AK Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.38 А, 3 Ом, SOT-23 | Elecsuper | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 23000 | 0,90 ₽ | ||
| IPT015N10N5ATMA1арт. 124451 | Транзистор IPT015N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 280,62 ₽ | ||
| 2N7002Eарт. 124416 | 2N7002E, полевой транзистор (MOSFET) SLKOR, N-канал, 60 В, 0.3 А, 3 Ом, корпус SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 1,63 ₽ | ||
| FDV301Nарт. 124415 | FDV301N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 25 В, 0.22 А, 4000 мОм, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 14500 | 3,10 ₽ | ||
| BFU590Qарт. 124411 | BFU590Q SLKOR высокочастотный биполярный транзистор NPN, 15 В, 0.2 А, 8.5 ГГц, SOT-89 | SLKOR | SOT-89 | — | NPN | REEL, 1000 шт. | — | под заказ | 21,64 ₽ | ||
| FDV305Nарт. 124410 | FDV305N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 0.9 А, 220 мОм, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 10500 | 2,85 ₽ | ||
| FDN304Pарт. 124409 | FDN304P SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -2.4 А, 52 мОм, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 10750 | 2,85 ₽ | ||
| FDN302Pарт. 124408 | FDN302P SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -2.4 А, 55 мОм, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 11250 | 2,64 ₽ | ||
| FDN337Nарт. 124407 | FDN337N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 2.2 А, 65 мОм, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 10500 | 2,75 ₽ | ||
| SL40P05Yарт. 124406 | SL40P05Y HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -40 В, -4.4 А, 90 мОм, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 6000 | 4,93 ₽ | ||
| MMBF170Lарт. 124405 | MMBF170L SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 3000 мОм, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 9300 | 2,34 ₽ | ||
| BSN20арт. 124404 | BSN20 SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 50 В, 0.3А, 2.5 Ом, 1.7 нКл, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | MOSFET | N | — | поверхностный (SMT) | 8500 | 1,42 ₽ | ||
| AO4822арт. 124399 | AO4822 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N+N канал, 30 В, 8 А, SOP-8 | JSMSEMI | SOP-8 | MOSFET | N+N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 2400 | 9,28 ₽ | ||
| AO4409арт. 124398 | AO4409 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -14 А, 11 мОм, 37 нКл, SOP-8 | JSMSEMI | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 12,68 ₽ | ||
| AO4410арт. 124397 | AO4410 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 5.5 мОм, 81.6 нКл, SOP-8 | JSMSEMI | SOP-8 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 1700 | 11,26 ₽ | ||
| IRFR220Nарт. 124396 | IRFR220NTRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 3664 | 19,15 ₽ | ||
| FQD7N20LTMарт. 124395 | FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2425 | 25,05 ₽ | ||
| IRF530NSарт. 124394 | IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK) | JSMSEMI | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | N | REEL, 800 шт. | поверхностный (SMT) | 1460 | 31,24 ₽ | ||
| IRFB7537арт. 124393 | IRFB7537PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 180 А, 5 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | — | сквозной (THT) | 275 | 49,82 ₽ | ||
| IRFP7530арт. 124392 | IRFP7530PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 200 А, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | — | сквозной (THT) | 567 | 113,86 ₽ | ||
| 2SC1623арт. 124341 | 2SC1623 Yongyutai биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, SOT-323 | YONGYUTAI | SOT-323 | Биполярный транзистор | NPN | — | — | 39500 | 0,41 ₽ | ||
| IRF7205арт. 124228 | IRF7205PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 2550 | 12,24 ₽ | ||
| 1N60Gарт. 124226 | 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223 | HXY | SOT-223 | MOSFET | N | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | 2800 | 4,81 ₽ | ||
| 8205Aарт. 124224 | 8205A HXY полевой транзистор (MOSFET), N+N-канал, 20 В, 6 А, 25 мОм, 11 нКл, SOT-23-6 | HXY | SOT-23-6L | MOSFET | 2N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 24800 | 2,11 ₽ | ||
| 2N7002DWарт. 124223 | 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363 | HXY | SOT-363 | MOSFET | N+N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 10800 | 1,74 ₽ | ||
| IRLML6302TRарт. 124122 | IRLML6302TR, Полевой транзистор UMW Youtai Semiconductor, P-канальный, 20В, 0.78А, 0.54Вт, корпус SOT-23-3 | UMW Youtai Semiconductor | — | — | — | — | — | 2000 | 3,28 ₽ | ||
| IPP50R280CEXKSA1арт. 123956 | IPP50R280CEXKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Infineon Technologies, 550В, 13A, корпус TO-220-3 | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 108,36 ₽ | ||
| 2SK2232-VBарт. 123932 | Транзистор 2SK2232-VB | VBSEMI | — | — | — | — | — | 94 | 28,96 ₽ | ||
| IRLML6302арт. 123918 | IRLML6302, Транзистор полевой P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт | UMW Youtai Semiconductor | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | — | под заказ | 0,01 ₽ | ||
| IRLML2246TRPBFарт. 123909 | IRLML2246TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 20В, 2.6А, 1.3Вт, корпус TO-236-3 (Micro3™/SOT-23) | Infineon Technologies | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 4200 | 7,39 ₽ | ||
| STB6NK60ZT4арт. 123887 | STB6NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 6А, 110Вт, корпус TO-263(D2PAK) | ST Microelectronics | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | N | REEL, 1000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 81,59 ₽ |
