Транзисторы
Найдено: 1795 · показаны 951–1000
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Тип монтажа | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD243Cарт. 125419 | BD243C JSMSEMI биполярный транзистор NPN, 100 В, 6 А, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | — | NPN | 50 | — | 730 | 21,63 ₽ | ||
| BD244Cарт. 125418 | BD244C JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -100 В, -6 А, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | — | PNP | 50 | — | 500 | 28,17 ₽ | ||
| IRF530Nарт. 125417 | IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 100 | 16,98 ₽ | ||
| IRF7828арт. 125416 | IRF7828 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 15 А, 11 мОм, 20.8 нКл, SOP-8 | JSMSEMI | SO-8 | MOSFET | N | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | 3850 | 12,30 ₽ | ||
| FDN86246арт. 125415 | FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23 | JSMSEMI | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 1750 | 10,25 ₽ | ||
| IRFR024Nарт. 125414 | IRFR024N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, 36 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 3300 | 10,25 ₽ | ||
| BU406 (JSMSEMI)арт. 125413 | BU406 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 200 В, 7 А, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | — | NPN | TUBE, 50 шт. | — | 800 | 14,69 ₽ | ||
| MJD127T4Gарт. 125412 | MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | Составной транзистор (Дарлингтона) | PNP | REEL, 2500 шт. | — | 8700 | 10,25 ₽ | ||
| IRFR9024Nарт. 125411 | IRFR9024N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -15 А, 90 мОм, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | P | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 10350 | 9,85 ₽ | ||
| IRFL4310арт. 125410 | IRFL4310TRPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 5 А, 120 мОм, 18 нКл, SOT-223 | JSMSEMI | SOT-223 | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2000 | 12,68 ₽ | ||
| JSM50N06Dарт. 125409 | JSM50N06D (50N60) JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 15 мОм, 32 нКл, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 399 | 7,06 ₽ | ||
| JSM15N10Dарт. 125408 | JSM15N10D (15N10) JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 100 мОм, 24 нКл, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 4300 | 7,06 ₽ | ||
| IRFB4227PBFарт. 125370 | IRFB4227PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 200В, 65/130А, 330Вт, 0.0197 Ом, корпус TO-220AB | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 220 | 73,51 ₽ | ||
| FMMT591арт. 125303 | FMMT591 SLKOR Биполярный транзистор PNP, -60 В, -1 А, SOT-23 | SLKOR | SOT-23 | — | PNP | REEL, 3000 шт. | — | 8200 | 2,27 ₽ | ||
| MBT3946арт. 125302 | MBT3946 SLKOR сборка биполярных транзисторов NPN+PNP, 40 / -40 В, 0.2 / -0.2 А, SOT-363 | SLKOR | SOT-363 | Сборка биполярных транзисторов | NPN+PNP | REEL, 3000 шт. | — | 10800 | 1,24 ₽ | ||
| FDN360Pарт. 125272 | FDN360P KUU полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23 | KUU | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 12000 | 2,84 ₽ | ||
| 2SK3019арт. 125269 | 2SK3019 KUU полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 0.1 А, 8 Ом, SOT-523 | KUU | SOT-523 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 1,02 ₽ | ||
| MJD117T4арт. 125255 | MJD117T4, Биполярный PNP транзистор ST Microelectronics, Darlington, 100В, 2А, 20Вт, корпус SOIC-16(0.154", 3.90mm Width) | ST Microelectronics | — | — | — | REEL, 2500 шт. | — | 2178 | 41,10 ₽ | ||
| MJD112T4арт. 125254 | MJD112T4, Биполярный PNP транзистор ST Microelectronics, Darlington, 100В, 2А, 20Вт, корпус DPAK(TO-252AA) | ST Microelectronics | — | — | — | REEL, 2500 шт. | — | 1450 | 31,84 ₽ | ||
| STW9N150арт. 125246 | STW9N150 , Полевой транзистор ST Microelectronics, N-канальный, 1500В, 8А, 320Вт, корпус TO-247-3 | ST Microelectronics | TO-247 | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 273,96 ₽ | ||
| STGP19NC60HDарт. 125219 | STGP19NC60HD, IGBT транзистор ST Microelectronics, 21А, 600В,130Вт, корпус TO-220-3 | ST Microelectronics | — | — | — | — | — | 450 | 212,28 ₽ | ||
| IHW20N135R5арт. 125068 | Транзистор IHW20N135R5 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 150,98 ₽ | ||
| FGAF20S65AQарт. 125050 | Транзистор FGAF20S65AQ | ON Semiconductor | — | — | — | — | — | под заказ | 66,21 ₽ | ||
| HSW4602арт. 124949 | Транзистор HSW4602 | HUASHUO | — | — | — | — | — | под заказ | 11,41 ₽ | ||
| IHW30N160R5арт. 124939 | Транзистор IHW30N160R5 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 229,43 ₽ | ||
| MMUN2214арт. 124887 | Транзистор MMUN2214 | HOTTECH | — | — | — | — | — | 205 | 4,54 ₽ | ||
| IRF7406арт. 124812 | IRF7406 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9 А, 20 мОм, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 500 | 7,82 ₽ | ||
| FDN335Nарт. 124811 | FDN335N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 2.3 А, 72 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 12000 | 2,54 ₽ | ||
| Si2304DDSарт. 124810 | Si2304DDS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 11980 | 3,37 ₽ | ||
| 9435арт. 124809 | 9435 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 11200 | 4,05 ₽ | ||
| AO3420арт. 124808 | AO3420 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6.5 А, 22 мОм, SOT-23-3L | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 8600 | 3,90 ₽ | ||
| AO3442арт. 124807 | AO3442 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 3 А, 283 мОм, SOT-23-3L | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 6600 | 4,05 ₽ | ||
| AO3422арт. 124806 | AO3422 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 4.5 А, 75 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 12500 | 3,78 ₽ | ||
| BSS159Nарт. 124805 | BSS159N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 3000 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 11200 | 3,25 ₽ | ||
| 9926Aарт. 124804 | 9926A HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), N+N канал, 20 В, 6 А, 25 мОм, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | 2P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 11000 | 2,64 ₽ | ||
| BSH205G2Rарт. 124803 | BSH205G2R HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -2.3 А, 140 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 9000 | 2,70 ₽ | ||
| 5N10арт. 124802 | 5N10 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 5 А, 125 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 11850 | 2,73 ₽ | ||
| FDN5630арт. 124797 | FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | N | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 5700 | 4,72 ₽ | ||
| AO4468 (HXY)арт. 124796 | AO4468 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | N | — | поверхностный (SMT) | 9300 | 4,58 ₽ | ||
| FDS9435Aарт. 124795 | FDS9435A HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 12200 | 3,61 ₽ | ||
| HXY20P03Dарт. 124794 | HXY20P03D HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -20 А, 42 мОм, 12.5 нКл, TO- 252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 4750 | 8,37 ₽ | ||
| HXY80N03Dарт. 124793 | HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 5700 | 7,02 ₽ | ||
| 30N03Aарт. 124792 | 30N03A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 100 А, 5.5 мОм, 20 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | — | поверхностный (SMT) | 5050 | 9,98 ₽ | ||
| IRF1407арт. 124791 | IRF1407PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 120 В, 120 А, 7.5 мОм, TO-220 | HXY | TO-220 | MOSFET | N | — | сквозной (THT) | 1630 | 79,95 ₽ | ||
| IRLR3705Zарт. 124790 | IRLR3705ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3, 45 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2410 | 51,00 ₽ | ||
| 16N65Fарт. 124789 | 16N65F, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 650 В, 16 А, 0.62 Ом, 62 нКл, корпус TO-220F | HXY | TO-220F | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | под заказ | 48,57 ₽ | ||
| IRF540Zарт. 124788 | IRF540ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 70 А, 10.5 мОм, TO-220 | HXY | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 977 | 49,95 ₽ | ||
| AO4614арт. 124787 | AO4614 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 40 В / -40 В, 7.2 А / -6.5 А, 26 мОм, 5.5 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | N+P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 7650 | 8,37 ₽ | ||
| HXY60N03Dарт. 124786 | HXY60N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 60 А, 9 мОм, 17.6 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 4400 | 7,69 ₽ | ||
| IRLML9301арт. 124785 | IRLML9301TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -4.1 А, 56 мОм, SOT-23 | HXY | SOT-23 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 28200 | 3,71 ₽ |
