Транзисторы
Найдено: 1795 · показаны 851–900
| Сравнить | Фото | Модель | Наименование | Производитель | Корпус | Тип | Тип проводимости | Упаковка | Тип монтажа | Наличие, шт. | Цена от |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF740ASарт. 126979 | IRF740ASTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 28 нКл, TO-263 (D2PAK) | JSMSEMI | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | N | REEL, 800 шт. | поверхностный (SMT) | 1080 | 49,87 ₽ | ||
| IRFR540Zарт. 126978 | IRFR540ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 36 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2275 | 38,04 ₽ | ||
| STD35NF06арт. 126849 | HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 17 мОм, 36 нКл, TO-252 (DPAK) | HXY | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 2400 | 21,92 ₽ | ||
| IRF9335арт. 126848 | IRF9335 HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 | HXY | SO-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 5450 | 15,90 ₽ | ||
| FDS9431Aарт. 126847 | FDS9431A HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8 | HXY | SOP-8 | MOSFET | P | REEL, 3000 шт. | поверхностный (SMT) | 2700 | 13,43 ₽ | ||
| IRFP3206арт. 126841 | IRFP3206PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 6 мОм, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 240 | 87,35 ₽ | ||
| IRFP240арт. 126840 | IRFP240PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 20 А, 120 мОм, TO-247AC | JSMSEMI | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 30 шт. | сквозной (THT) | 570 | 61,48 ₽ | ||
| IRFB3607арт. 126839 | IRFB3607PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 100 А, 8.2 мОм, TO-220 | JSMSEMI | TO-220 | MOSFET | N | TUBE, 50 шт. | сквозной (THT) | 840 | 25,62 ₽ | ||
| IRFR120Nарт. 126836 | IRFR120NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 112 мОм, 26.2 нКл, TO-252 (DPAK) | JSMSEMI | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 1500 | 12,68 ₽ | ||
| PZTA42арт. 126834 | PZTA42 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 300 В, 0.2 А, SOT-223 | HOTTECH | SOT-223 | — | NPN | REEL, 1000 шт. | — | 650 | 5,00 ₽ | ||
| PZT2222Aарт. 126833 | PZT2222A JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, SOT-223 | JSMSEMI | SOT-223 | — | NPN | REEL, 1000 шт. | — | 3700 | 4,60 ₽ | ||
| MMBT2222ATарт. 126831 | MMBT2222AT JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, SOT-523 | JSMSEMI | SOT-523 | — | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 20000 | 1,01 ₽ | ||
| 2N3906арт. 126830 | 2N3906 JSMSEMI Биполярный транзистор PNP, -40 В, -0,2 А, TO-92 | JSMSEMI | TO-92 | Биполярный транзистор | PNP | Bulk, 1000 шт. | — | 6535 | 0,77 ₽ | ||
| SS8050 (JSMSEMI)арт. 126829 | SS8050 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 25 В, 1.5 А, SOT-23 | JSMSEMI | SOT-23 | — | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 15000 | 0,52 ₽ | ||
| BC847BDWарт. 126755 | Транзистор BC847BDW | CTK | — | — | — | — | — | 12500 | 1,39 ₽ | ||
| BSC340N08NS3Gарт. 126583 | BSC340N08NS3G, Infineon Technologies | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | под заказ | 28,76 ₽ | ||
| SUM110P08-11L-E3арт. 126490 | SUM110P08-11L-E3, Полевой P-канальный транзистор VISHAY, 80В, 110A, корпус TO-263-3 (D2PAK) | VISHAY | TO-263 (D2PAK) | MOSFET | P | REEL, 800 шт. | поверхностный (SMT) | 195 | 341,25 ₽ | ||
| 50N03арт. 126457 | 50N03 KUU полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 50 А, 10 мОм, 43 нКл, TO-252 (DPAK) | KUU | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 5500 | 7,72 ₽ | ||
| MMBTA05арт. 126455 | MMBTA05 Yongyutai биполярный транзистор NPN, 60 В, 0.5 А, SOT-23 | YONGYUTAI | SOT-23 | — | NPN | REEL, 3000 шт. | — | 19800 | 1,38 ₽ | ||
| MJD127арт. 126453 | MJD127 Yongyutai биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -3 А, TO-252 (DPAK) | YONGYUTAI | TO-252 (DPAK) | Составной транзистор (Дарлингтона) | PNP | REEL, 2500 шт. | — | 9200 | 9,88 ₽ | ||
| IKW30N60DTPXKSA1арт. 126452 | IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 256 | 360,40 ₽ | ||
| IRF6216TRPBFарт. 126413 | IRF6216TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 2.2A, корпус SOIC-8 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 3775 | 42,91 ₽ | ||
| IGW30N60H3FKSA1арт. 126412 | IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247 | IGBT | — | — | — | 96 | 437,83 ₽ | ||
| IKW30N65H5XKSA1арт. 126411 | IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 75 | 240,24 ₽ | ||
| IKW50N60DTPXKSA1арт. 126410 | IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | 180 | 285,30 ₽ | ||
| IPD35N10S3L26ATMA1арт. 126409 | IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK) | Infineon Technologies | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2500 шт. | поверхностный (SMT) | 1920 | 58,96 ₽ | ||
| IRLR3110ZPBFарт. 126368 | IRLR3110ZPBF | Infineon Technologies | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | Tube, 75 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 16,56 ₽ | ||
| IRGP4063DPBFарт. 126367 | IRGP4063DPBF, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 96А, 330Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 16,56 ₽ | ||
| IRG4PC50WPBFарт. 126365 | IRG4PC50WPBF | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 16,56 ₽ | ||
| IRG4PC50UDPBFарт. 126364 | IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | — | IGBT | — | — | — | под заказ | 16,56 ₽ | ||
| SPW17N80C3FKSA1арт. 126286 | SPW17N80C3FKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 800В, 17A, 208Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 490 | 284,81 ₽ | ||
| IRLR3636TRPBFарт. 126282 | IRLR3636TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 99А, 143Вт, корпус DPAK(TO-252-3) | Infineon Technologies | TO-252 (DPAK) | MOSFET | N | REEL, 2000 шт. | поверхностный (SMT) | 1200 | 63,34 ₽ | ||
| IRLML2060TRPBFарт. 126276 | IRLML2060TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 1.25Вт, корпус Micro3™ (SOT-23-3) | Infineon Technologies | — | — | — | — | поверхностный (SMT) | 8550 | 8,85 ₽ | ||
| IRLML9303TRPBFарт. 126275 | IRLML9303TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В, 2.3А, 1.25Вт, корпус SOT-23-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | поверхностный (SMT) | под заказ | 8,14 ₽ | ||
| IRLU024NPBFарт. 126274 | IRLU024NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 17А, 38Вт, 0.065 Ом, корпус IPAK (TO-251) | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 1350 | 36,80 ₽ | ||
| IRLZ44NPBFарт. 126271 | IRLZ44NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 47А, 83Вт, 0.022 Ом, корпус TO-220AB | Infineon Technologies | — | — | — | — | сквозной (THT) | под заказ | 70,04 ₽ | ||
| IRFP150NPBFарт. 126269 | IRFP150NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 100В, 39А, 140Вт, 0.036 Ом, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 200 | 66,10 ₽ | ||
| IRFP2907PBFарт. 126268 | IRFP2907PBF, Полевой транзистор Infineon Technologies, N-канальный, 75В, 209А, 470Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 490 | 188,33 ₽ | ||
| IRFP4332PBFарт. 126267 | IRFP4332PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 250В, 360Вт, корпус TO- 247-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 425 | 242,69 ₽ | ||
| IRFP4868PBFарт. 126266 | IRFP4868PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 300В, 70А, 517Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 411 | 275,01 ₽ | ||
| IRFP7718PBFарт. 126265 | IRFP7718PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,75В, 195А, 517Вт, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 25 шт. | сквозной (THT) | 200 | 381,62 ₽ | ||
| IRFR3710ZTRPBFарт. 126264 | IRFR3710ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,100В, 42A, корпус DPAK(TO-252-3) | Infineon Technologies | — | — | — | — | поверхностный (SMT) | 920 | 57,96 ₽ | ||
| IRFR4615TRLPBFарт. 126263 | IRFR4615TRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 33A, корпус DPAK(TO-252-3) | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 720 | 63,06 ₽ | ||
| IRFS4227TRLPBFарт. 126262 | IRFS4227TRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 62A, корпус D2Pak (TO-263-3) | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 645 | 123,10 ₽ | ||
| IRFU5305PBFарт. 126261 | IRFU5305PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 31А, 110Вт, корпус TO-251AA(I-Pak) | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 925 | 63,50 ₽ | ||
| IRFR3710ZTRLPBFарт. 126260 | IRFR3710ZTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,100В, 42A, 140Вт, корпус DPAK(TO-252-3) | Infineon Technologies | — | — | — | — | поверхностный (SMT) | под заказ | 71,28 ₽ | ||
| IRFP064NPBFарт. 126259 | IRFP064NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 55В, 110А, 200Вт, 0.008 Ом, корпус TO-247-3 | Infineon Technologies | TO-247AC | MOSFET | N | TUBE, 25 шт. | сквозной (THT) | 1125 | 63,50 ₽ | ||
| IRFB4115PBFарт. 126258 | IRFB4115PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 104А, 380Вт, корпус TO- 220-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 300 | 81,90 ₽ | ||
| IRFB3307ZPBFарт. 126257 | IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, корпус TO-220-3 | Infineon Technologies | — | — | — | — | — | 276 | 88,50 ₽ | ||
| IRF7530TRPBFарт. 126191 | IRF7530TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 20В, 5.4A, 1.3Вт, корпус Micro8 | Infineon Technologies | Micro8 | MOSFET | N | REEL, 4000 шт. | поверхностный (SMT) | под заказ | 50,42 ₽ |
